[發明專利]中子輻射檢測系統和方法

在審

• 申請號: 201780070254.2
• 申請日: 2017-11-14
• 公開（公告）號: CN109983364A
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發明（設計）人: M·埃瓦特塞恩科-博霍;E·萊德;R·皮耶恩;N·特羅斯特;R·布霍爾特
• 申請（專利權）人: 賽默飛世爾科學測量技術有限公司
• 主分類號: G01T3/00
• 分類號: G01T3/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳潔;何焜

1.一種γ輻射檢測裝置，其包括：

a.檢測γ輻射的閃爍檢測器，所述檢測器包括閃爍材料，所述閃爍材料包括元素，所述元素通過所述元素的中子活化產生發射γ輻射的同位素；和

b.處理器，其配置為監測由所述同位素發射的γ輻射，從而檢測所述γ輻射檢測裝置對中子輻射的暴露。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中所述元素是溴(Br)。

3.根據權利要求2所述的裝置，其中所述同位素包括Br-80m。

4.根據權利要求3所述的裝置，其中所述同位素還包括Br-80。

5.根據權利要求4所述的裝置，其中所述處理器進一步配置為監測由Br-80同位素發射的β輻射。

6.根據權利要求2所述的裝置，其中所述同位素包括Br-82m。

7.根據權利要求6所述的裝置，其中所述同位素還包括Br-82。

8.根據權利要求7所述的裝置，其中所述處理器進一步配置為監測由Br-82同位素發射的β輻射。

9.根據權利要求1所述的裝置，其中所述元素是銫(Cs)。

10.根據權利要求9所述的裝置，其中所述同位素包括Cs-134m。

11.根據權利要求10所述的裝置，其中所述同位素還包括Cs-134。

12.根據權利要求11所述的裝置，其中所述處理器進一步配置為監測由Cs-134同位素發射的β輻射。

13.根據權利要求1所述的裝置，其中所述處理器進一步配置為監測由所述同位素發射的預定能量γ輻射。

14.根據權利要求13所述的裝置，其中所述元素是溴(Br)。

15.根據權利要求14所述的裝置，其中所述同位素是Br-82m。

16.根據權利要求15所述的裝置，其中由Br-82m同位素發射的γ輻射的能量為48keV。

17.根據權利要求14所述的裝置，其中所述同位素是Br-80m。

18.根據權利要求17所述的裝置，其中由Br-80m同位素發射的γ輻射的能量為85keV。

19.根據權利要求13所述的裝置，其中所述元素是銫(Cs)。

20.根據權利要求19所述的裝置，其中所述同位素是Cs-134m。

21.根據權利要求20所述的裝置，其中由Cs-134m同位素發射的γ輻射的能量為140keV。

22.根據權利要求1所述的裝置，其中所述處理器還被配置為在所述γ輻射檢測裝置暴露于中子輻射之后監測由所述同位素發射的持續γ輻射。

23.根據權利要求1所述的裝置，還包括與γ輻射檢測裝置直接接觸的中子慢化器裝置。

24.根據權利要求23所述的裝置，其中所述中子慢化器裝置包括聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和水中的至少一種。