[發(fā)明專利]可逆性記錄介質(zhì)和外部構(gòu)件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780069696.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-10-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109963722A | 公開(公告)日: | 2019-07-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 貝野由利子;栗原研一;首藤綾;加瀬川亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 索尼公司 |
| 主分類號(hào): | B41M5/28 | 分類號(hào): | B41M5/28;B41M5/323;B41M5/40;B41M5/42;B41M5/46;B42D25/305 |
| 代理公司: | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉雙;謝雪閩 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 記錄層 支撐基體 可逆性記錄 可見區(qū)域 刪除狀態(tài) 吸收光譜 關(guān)系表達(dá)式 記錄狀態(tài) 內(nèi)容實(shí)施 外部構(gòu)件 可逆性 色度差 支撐基 | ||
1.一種可逆性記錄介質(zhì),包括:
支撐基體;和
記錄層,所述記錄層設(shè)置在所述支撐基體上,并且在記錄狀態(tài)和刪除狀態(tài)之間可逆地變化,
所述支撐基體與刪除狀態(tài)下的所述記錄層之間的色度差ΔC*滿足以下關(guān)系表達(dá)式(1):
ΔC*=√((a0*-as*)2+(b0*-bs*)2)≤6.5……(1)
其中,
刪除狀態(tài)下的所述記錄層的可見區(qū)域中的吸收光譜由Ls*as*bs*表示,以及
所述支撐基體的可見區(qū)域中的吸收光譜由L0*a0*b0*表示。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可逆性記錄介質(zhì),其中所述支撐基體與刪除狀態(tài)下的所述記錄層之間的色差ΔE*滿足以下關(guān)系表達(dá)式(2):
ΔE*=√((L0*-Ls*)2+(a0*-as)2+(b0*-bs*)2)≤6.5……(2)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可逆性記錄介質(zhì),其中所述記錄層包括:
具有給電子性的呈色性化合物,
具有給電子性的顯色/減色劑,
吸收近紅外區(qū)域中的波長(zhǎng)以產(chǎn)生熱量的光熱轉(zhuǎn)換材料,以及
基質(zhì)樹脂。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可逆性記錄介質(zhì),其中所述支撐基體與刪除狀態(tài)下的所述記錄層之間的色度差ΔC*進(jìn)一步滿足以下關(guān)系表達(dá)式(3):
ΔC*=√((a0*-as*)2+(b0*-bs*)2)≤3.2……(3)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可逆性記錄介質(zhì),其中所述支撐基體與刪除狀態(tài)下的所述記錄層之間的色差ΔE*進(jìn)一步滿足以下關(guān)系表達(dá)式(4):
ΔE*=√((L0*-Ls*)2+(a0*-as)2+(b0*-bs*)2)≤3.2……(4)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可逆性記錄介質(zhì),其中所述記錄層包括第一層至第n層,所述第一層至所述第n層分別包含各自的具有不同顯色色相的呈色性化合物,所述第一層至所述第n層按此順序?qū)盈B在所述支撐基體上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可逆性記錄介質(zhì),其中所述第一層至所述第n層分別包含各自的對(duì)不同波長(zhǎng)區(qū)域的近紅外區(qū)域中的波長(zhǎng)進(jìn)行吸收以產(chǎn)生熱量的光熱轉(zhuǎn)換材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可逆性記錄介質(zhì),其中所述記錄層在所述第一層至所述第n層的相應(yīng)層之間分別包括中間層,所述中間層包含與包含在所述記錄層中的基質(zhì)樹脂不同的基質(zhì)樹脂。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可逆性記錄介質(zhì),其中所述光熱轉(zhuǎn)換材料包括以下中的一種:具有花青骨架、酞菁骨架、萘酞菁骨架、方酸菁骨架和克酮酸菁骨架之一的衍生物,或者亞胺鹽、銨鹽、硫醇鹽絡(luò)合物,或者無(wú)機(jī)化合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可逆性記錄介質(zhì),其中所述光熱轉(zhuǎn)換材料具有在700nm至2000nm范圍內(nèi)的吸收峰。
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