[發明專利]具有前側源極觸點和前側漏極觸點的垂直場效應晶體管

在審

• 申請號: 201780069606.2
• 申請日: 2017-11-22
• 公開（公告）號: CN109923677A
• 公開（公告）日: 2019-06-21
• 發明（設計）人: 格雷戈里·迪克斯;吉那·蘇梅特;艾瑞克·彼得森;拉杰西·納亞克
• 申請（專利權）人: 密克羅奇普技術公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/417;H01L29/423
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 沈錦華

1.一種集成電路(IC)器件，包括：

多個半導體器件，每個半導體器件包括：

外延層；

摻雜源極區，所述摻雜源極區形成在所述外延層中；

前側源極觸點，所述前側源極觸點耦接到所述摻雜源極區；

溝槽，所述溝槽形成在所述外延層中；

前側漏極觸點，所述前側漏極觸點延伸到形成在所述外延層中的所述溝槽中；

多晶硅柵極，所述多晶硅柵極形成在所述外延層中；并且

其中從所述多晶硅柵極和所述摻雜源極區的交叉點到所述前側漏極觸點限定漂移區。

2.根據權利要求1或3至12中任一項所述的器件，其中每個半導體器件包括溝槽場效應晶體管(FET)。

3.根據權利要求1至2或4至12中任一項所述的器件，還包括前側柵極觸點。

4.根據權利要求1至3或5至12中任一項所述的器件，其中所述漏極觸點的深度限定所述半導體器件的擊穿電壓。

5.根據權利要求1至4或7至12中任一項所述的器件，其中所述漏極觸點位于所述器件的體襯底區之上。

6.根據權利要求5所述的器件，其中所述漏極觸點不延伸到所述體襯底區中。

7.根據權利要求1至6或9至12中任一項所述的器件，其中所述漏極觸點位于所述外延層和體襯底區之間的過渡區之上。

8.根據權利要求7所述的器件，其中所述漏極觸點不延伸到所述外延層和所述體襯底區之間的所述過渡區中。

9.根據權利要求1至8或10至12中任一項所述的器件，其中所述外延層直接耦合到體襯底區，在所述外延層和所述體襯底區之間沒有過渡區。

10.根據權利要求1至9或11至12中任一項所述的器件，其中所述半導體器件限定從所述前側源極觸點到所述前側漏極觸點而不穿過過渡層或體襯底的電流路徑。

11.根據權利要求1至10或12中任一項所述的器件，其中所述半導體器件限定從所述源極區到所述漏極觸點的電流路徑，其中所述電流路徑完全包含在所述外延層中。

12.根據權利要求1至11中任一項所述的器件，其中所述漏極觸點通過氧化物層與所述多晶硅柵極隔離。

13.一種集成電路(IC)器件，包括：

至少一個場效應晶體管(FET)，每個FET包括：

襯底；

外延區，所述外延區位于所述襯底上方；

源極，所述源極形成在所述外延區中；

多晶硅柵極，所述多晶硅柵極形成在所述外延區中；

漏極觸點，所述漏極觸點形成在所述外延區中；和

電流路徑，所述電流路徑從所述源極到所述漏極觸點，其中所述電流路徑位于所述外延區中并且不穿過所述襯底。

14.根據權利要求13或15至17中任一項所述的器件，包括過渡區，所述過渡區位于所述外延區和所述襯底之間，其中所述電流路徑不穿過所述過渡區。

15.根據權利要求13至14或16至17中任一項所述的器件，還包括前側源極觸點，所述前側源極觸點耦接到所述源極；并且其中所述漏極觸點為前側漏極觸點。

16.根據權利要求13至15或17中任一項所述的器件，其中所述漏極觸點通過氧化物層與所述多晶硅柵極隔離。