[發(fā)明專利]研磨用組合物及硅晶圓的研磨方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780069432.X
• 申請日: 2017-11-06
• 公開（公告）號: CN110099977B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 秋月麗子;土屋公亮;谷口惠
• 申請（專利權(quán)）人: 福吉米株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;C09G1/02
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

提供能實現(xiàn)高平坦性的研磨用組合物、及硅晶圓的研磨方法。研磨用組合物含有磨粒和堿性化合物，磨粒的異形度參數(shù)與粒徑分布寬度的乘積為4以上。磨粒的異形度參數(shù)是構(gòu)成磨粒的各顆粒的投影面積Sr與各顆粒的虛擬投影面積Si之比Sr/Si減1而得的值的絕對值|Sr/Si?1|的平均值，虛擬投影面積Si是以各顆粒的垂直費雷特直徑為直徑的虛擬圓的面積。磨粒的粒徑分布寬度是磨粒的體積基準(zhǔn)的累積粒徑分布中的90％粒徑與10％粒徑之差。90％粒徑與10％粒徑的單位為nm。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及研磨用組合物及硅晶圓的研磨方法。

背景技術(shù)

為了硅晶圓的平坦化，已經(jīng)提出了各種涉及研磨用組合物、研磨方法的技術(shù)。作為這樣的技術(shù)，可列舉例如專利文獻(xiàn)1公開的技術(shù)。但是，近年來對硅晶圓品質(zhì)的要求水準(zhǔn)日益提高，因此這些技術(shù)需要進(jìn)行進(jìn)一步的改良。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利公開公報2001年第011433號

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

本發(fā)明的技術(shù)問題在于解決如上所述的現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題、并且提供能實現(xiàn)高平坦性的研磨用組合物及硅晶圓的研磨方法。

用于解決問題的方案

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的一個方式的研磨用組合物的主旨在于，含有磨粒和堿性化合物，磨粒的異形度參數(shù)與粒徑分布寬度的乘積為4以上，磨粒的異形度參數(shù)是構(gòu)成磨粒的各顆粒的投影面積Sr與各顆粒的虛擬投影面積Si之比Sr/Si減1而得的值的絕對值|Sr/Si-1|的平均值，虛擬投影面積Si是以各顆粒的垂直費雷特直徑為直徑的虛擬圓的面積，磨粒的粒徑分布寬度是磨粒的體積基準(zhǔn)的累積粒徑分布中的90％粒徑與10％粒徑之差。90％粒徑與10％粒徑的單位為nm。

另外，本發(fā)明的另一方式的硅晶圓的研磨方法的主旨在于，包括使用上述一個方式的研磨用組合物來研磨硅晶圓的步驟。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，能實現(xiàn)高平坦性。

附圖說明

圖1是對構(gòu)成磨粒的顆粒的投影面積進(jìn)行說明的圖。

圖2是對構(gòu)成磨粒的顆粒的虛擬投影面積進(jìn)行說明的圖。

圖3是對構(gòu)成磨粒的顆粒的虛擬投影面積進(jìn)行說明的圖。

具體實施方式

對本發(fā)明的一個實施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。本實施方式的研磨用組合物含有磨粒和堿性化合物。作為該磨粒，使用異形度參數(shù)與粒徑分布寬度的乘積為4以上的磨粒。

磨粒的粒徑分布寬度是指：磨粒的體積基準(zhǔn)的累積粒徑分布中的90％粒徑(以下有時也記作“D90”)與10％粒徑(以下有時也記作“D10”)之差。需要說明的是，D10、D90是指：在體積基準(zhǔn)的累積粒徑分布中，從小粒徑側(cè)起的累積分布數(shù)分別為10％、90％的粒徑。90％粒徑與10％粒徑的單位為nm。這些D10、D90可以使用激光衍射/散射式粒徑分布測定裝置來測定。作為激光衍射/散射式粒徑分布測定裝置，使用日機(jī)裝株式會社制的納米粒度分布測定裝置“UPA-UT”。

另外，磨粒的異形度參數(shù)是指：構(gòu)成磨粒的各顆粒的投影面積Sr與構(gòu)成磨粒的各顆粒的虛擬投影面積Si之比Sr/Si減1而得的值的絕對值|Sr/Si-1|的平均值。在此，虛擬投影面積Si是指：以構(gòu)成磨粒的各顆粒的垂直費雷特直徑為直徑的虛擬圓的面積。