[發(fā)明專利]背側(cè)安全屏蔽有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780068273.1 | 申請日： | 2017-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN110121858B | 公開（公告）日： | 2023-03-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | S·C·貝斯特 | 申請（專利權(quán)）人： | 密碼研究公司 |
| 主分類號： | H04L9/12 | 分類號： | H04L9/12;G06F21/73;G06K19/07 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 酆迅;董典紅 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 安全 屏蔽 | ||
1.一種集成電路，包括：
有源電路裝置側(cè)金屬層；
背側(cè)金屬層；
在平面集成電路襯底的背側(cè)上的第一防篡改金屬結(jié)構(gòu)；
至少一個硅穿孔，所述至少一個硅穿孔將所述第一防篡改金屬結(jié)構(gòu)連接到所述平面集成電路襯底的有源電路裝置側(cè)上的有源電路裝置；和
物理上不可克隆的功能電路，所述物理上不可克隆的功能電路連接到所述有源電路裝置側(cè)金屬層和所述背側(cè)金屬層以輸出第一指紋值，對所述背側(cè)金屬層的電特性的修改致使所述物理上不可克隆的功能電路輸出不等于所述第一指紋值的第二指紋值，
其中所述背側(cè)金屬層使用所述至少一個硅穿孔連接到所述物理上不可克隆的功能電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，對所述有源電路裝置側(cè)金屬層的電特性的修改將致使所述物理上不可克隆的功能電路輸出不等于所述第一指紋值的第三指紋值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述集成電路被配置為至少部分地基于所述第一指紋值導(dǎo)出用于所述集成電路的密碼功能的密鑰。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述有源電路裝置 側(cè)金屬層包括第一網(wǎng)格，所述第一網(wǎng)格包括多個有源電路裝置側(cè)金屬線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路，其中，所述背側(cè)金屬層包括第二網(wǎng)格，所述第二網(wǎng)格包括多個背側(cè)金屬線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述第一指紋值取決于至少一個硅穿孔的電特性。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述有源電路裝置包括所述物理上不可克隆的功能電路，所述物理上不可克隆的功能電路被配置為至少部分地基于所述第一防篡改金屬結(jié)構(gòu)未被修改而輸出第一指紋值，并且至少部分地基于對所述第一防篡改金屬結(jié)構(gòu)的修改而輸出第二指紋值，所述修改改變了所述第一防篡改金屬結(jié)構(gòu)的電特性。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路，還包括：
在所述有源電路裝置側(cè)上的第二防篡改金屬結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路，其中，所述物理上不可克隆的功能電路還被配置為至少部分地基于所述第二防篡改金屬結(jié)構(gòu)未被修改而輸出所述第一指紋值，并且至少部分地基于對所述第二防篡改金屬結(jié)構(gòu)的修改而輸出第三指紋值，所述修改改變了所述第二防篡改金屬結(jié)構(gòu)的電特性。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路，其中，所述集成電路被配置為至少部分地基于所述第一指紋值提供用于所述集成電路的密碼功能的密鑰。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路，其中，所述第一防篡改金屬結(jié)構(gòu)包括第一網(wǎng)格，所述第一網(wǎng)格包括多個第一金屬線。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路，其中，所述第二防篡改金屬結(jié)構(gòu)包括第二網(wǎng)格，所述第二網(wǎng)格包括多個第二金屬線。
13.一種操作集成電路的方法，包括：
借助至少一個第一硅穿孔施加電刺激到背側(cè)金屬層；
借助至少一個第二硅穿孔接收對所述電刺激的響應(yīng)，所述響應(yīng)至少部分地基于所述背側(cè)金屬層的電特性，其中所述集成電路包括在平面集成電路襯底的背側(cè)上的第一防篡改金屬結(jié)構(gòu)，并且所述至少一個第一硅穿孔和所述至少一個第二硅穿孔將所述第一防篡改金屬結(jié)構(gòu)連接到所述平面集成電路襯底的有源電路裝置側(cè)上的有源電路裝置；以及
評估物理上不可克隆的功能，當(dāng)所述背側(cè)金屬層尚未被修改時所述物理上不可克隆的功能至少部分地基于所述背側(cè)金屬層的所述電特性而輸出第一指紋值，如果所述背側(cè)金屬層已被修改，則所述物理上不可克隆的功能被配置為至少部分地基于所述背側(cè)金屬層的所述電特性而輸出不等于所述第一指紋值的第二指紋值。
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