[發明專利]用于等離子體處理系統的承載板

有效

• 申請號: 201780068130.0
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN109890999B
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 卡爾·利瑟
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;C23C16/50
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;邱曉敏

1.一種用于處理晶片的處理室，其包括：

基座，其被配置成支撐承載板，所述基座的頂表面延伸到至少外徑；

所述承載板被配置成設置在所述基座上，所述承載板包括

凹穴，其限定在所述承載板的頂表面上的中間部分中并具有表面直徑,

在鄰近所述凹穴的外邊緣處設置的保持特征使得當所述晶片被接收在所述凹穴中時，所述保持特征的頂表面與所述凹穴的臺階相鄰，所述頂表面與所述晶片共面，以及

其中所述凹穴限定襯底支撐區域，以在接納晶片時支撐該晶片；和

多個晶片支撐件，其沿著限定在所述凹穴中的襯底支撐區域的表面分布并限定最小接觸區域，當所述晶片被接收在所述承載板的所述凹穴中時，所述最小接觸區域提供對所述晶片的支撐，

所述承載板包括靜電卡盤機構，以響應來自耦合到所述承載板的控制器的信號，在所述晶片被接納在其上時向所述晶片施加夾持力。

2.根據權利要求1所述的處理室，其中所述承載板是可拆卸單元，并且被配置為與接納在其上的所述晶片移入和移出所述處理室。

3.根據權利要求1所述的處理室，其中所述凹穴的所述表面直徑至少是接納在所述承載板上的所述晶片的直徑。

4.根據權利要求3所述的處理室，其中所述晶片的所述直徑是100mm、150mm、200mm、300mm、330mm和450mm中的一個。

5.根據權利要求1所述的處理室，其還包括耦合到控制器的升降機構，所述升降機構被配置為基于來自所述控制器的信號提升所述承載板。

6.根據權利要求5所述的處理室，其中所述信號是松脫信號。

7.根據權利要求1所述的處理室，其還包括分布在所述基座的主體中的多個升降銷，所述多個升降銷中的每一個配置成在接合時穿過限定在所述基座的所述頂表面上的相應凹部向外延伸，并且在脫離時縮回到殼體中，所述多個升降銷連接到升降銷控制裝置，所述升降銷控制裝置耦合到控制器并且被配置為響應于來自所述控制器的信號而接合、脫離所述多個升降銷。

8.根據權利要求1所述的處理室，其還包括多個電極，所述多個電極設置在所述基座的主體內靠近所述基座的所述頂表面，所述多個電極耦合到靜電卡盤（ESC）控制裝置，所述ESC控制裝置被配置為向所述多個電極施加電壓以引起在所述基座和所述承載板之間的雙極夾持或松脫，用于夾持或松脫的所述電壓響應于從耦合到所述ESC控制裝置的控制器接收的信號而施加。

9.根據權利要求1所述的處理室，其中多個晶片支撐件均勻地分布在所述承載板的所述凹穴的所述襯底支撐區域上，所述多個晶片支撐件限定用于在接納所述晶片時支撐所述晶片的最小接觸區域。

10.根據權利要求1所述的處理室，其中所述承載板由不含硅的材料制成。

11.根據權利要求1所述的處理室，其中所述承載板由導熱材料制成。

12.根據權利要求1所述的處理室，其中所述承載板還包括從所述保持特征延伸到所述基座的所述外徑的錐形部分，所述錐形部分的頂表面包括多個環支撐件，以提供用于在接納聚焦環時支撐所述聚焦環的最小接觸區域。

13.根據權利要求12所述的處理室，其中所述聚焦環的幾何輪廓被設計成與所述錐形部分的幾何輪廓匹配。

14.根據權利要求1所述的處理室，其中所述承載板的所述凹穴中的所述襯底支撐區域的厚度介于0.5mm與5mm之間。