[發明專利]電流源噪聲抵消

有效

• 申請號: 201780065730.1
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN109891751B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 約剛內森·文卡塔拉曼;易莎恩·米格拉尼
• 申請（專利權）人: 德州儀器公司
• 主分類號: H03M1/08
• 分類號: H03M1/08
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

至少一些實施例涉及一種系統(100)，其包括具有第一和第二輸出節點(126、128)的差分開關網絡(103)、耦合到所述網絡(103)的第一和第二晶體管(110、116)，以及耦合到所述第一和第二晶體管(110、116)的第一和第二電阻器(108、114)。所述DAC(100)還包括耦合到所述第一電阻器(108)的電壓源(106)和耦合到所述第二電阻器(114)的接地連接(112)。所述DAC(100)進一步包含耦合到所述第一和第二晶體管(110、116)并且耦合到所述第二電阻器(114)的電容器(132)。

背景技術

各種電氣組件，例如電流緩沖器和數/模轉換器(DAC)，含有電流源。這些電流源通常含有調節電流流出電流源的晶體管。在許多情況下，這些晶體管不當地將噪聲引入電流，例如，由傳導低頻信號的晶體管引起的閃爍噪聲。可以將大阻抗構建到電流源中以抑制噪聲；然而，這種阻抗在例如智能手機之類的低功率應用中是不切實際的，因為必須有大電壓供應來補償阻抗的增加。因此，這種電流源噪聲仍然存在問題，特別是在低功率應用中。

發明內容

至少一些實施例涉及一種系統，所述系統包括帶第一和第二輸出節點的差分開關網絡、耦合到所述網絡的第一和第二晶體管，以及耦合到所述第一和第二晶體管的第一和第二電阻器。DAC還包括耦合到所述第一電阻器的電壓源和耦合到所述第二電阻器的接地連接。所述DAC進一步包含耦合到所述第一和第二晶體管且耦合到所述第二電阻器的電容器。

附圖說明

為了詳細描述各種實例，現將參考附圖，在附圖中：

圖1是根據實施例的示意性數/模轉換器電流源(DAC)的電路示意圖。

圖2是根據實施例的另一示意性DAC的電路示意圖。

圖3是根據實施例的示意性電流緩沖系統的電路示意圖。

圖4是根據實施例的另一示意性電流緩沖系統的電路示意圖。

圖5是根據實施例的又一示意性電流緩沖系統的電路示意圖。

具體實施方式

本文公開的至少一些實施例包含互補電流源，其包括晶體管，例如金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)，所述晶體管以這樣的方式配置，使得流過所述電流源中的每一者的噪聲電流大致相等。由于噪聲電流大致相等，因此它們相互抵消或至少導致基本上衰減的噪聲水平。至少一些此類實施例包含在互補電流源中的每一者中的MOSFET之間的交流電(AC)耦合。其它實施例包含在互補電流源中的每一者中的MOSFET之間的直流電(DC)耦合。下文參考附圖更詳細地描述MOSFET與AC和DC耦合的精確配置。各種實施例可以實施于電流緩沖器、數/模轉換器和其它類型的電流源中，并且其可以應用于各種電子系統中的任何一種。