[發(fā)明專利]片上系統(tǒng)、包括該片上系統(tǒng)的電子裝置及其驅(qū)動方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780065443.0 | 申請日: | 2017-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN109844688B | 公開(公告)日: | 2023-09-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金在哲;金珍奎;金東宇;金楨昊;鄭載洙;河鍾植;吳熙泰;俞赫善;李承榮;崔佑寧;韓在雄;許慢根 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G06F1/3234 | 分類號: | G06F1/3234;H03F3/217;G06F1/324;G06F1/3206;G06F1/3296;G06F15/78 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204 | 代理人: | 王達(dá)佐;楊莘 |
| 地址: | 韓國京畿道水*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 系統(tǒng) 包括 該片 電子 裝置 及其 驅(qū)動 方法 | ||
1.電子裝置,包括:
片上系統(tǒng)SoC,所述SoC包括至少一個部件;
存儲器;以及
處理器,所述處理器功能性地連接至所述SoC和所述存儲器,其中,所述處理器配置成:
施加用于以特定頻率驅(qū)動所述至少一個部件的默認(rèn)電壓,
確定在偏移電壓表中是否存儲有與對應(yīng)于所述至少一個部件和所述特定頻率的偏移電壓有關(guān)的數(shù)據(jù),
當(dāng)存儲有與所述偏移電壓有關(guān)的數(shù)據(jù)時,向所述至少一個部件施加與所述默認(rèn)電壓不同的所述偏移電壓,
當(dāng)未存儲有與所述偏移電壓有關(guān)的數(shù)據(jù)時,通過將制造所述SoC的情況下的硬件性能監(jiān)視器HPM值與所述SoC安裝在所述電子裝置中的情況下的HPM值進(jìn)行比較,獲取所述電子裝置的偏移電壓數(shù)據(jù),
通過施加與所述偏移電壓數(shù)據(jù)對應(yīng)的電壓并且所述電子裝置以最大負(fù)載狀態(tài)驅(qū)動處理器,對所述偏移電壓數(shù)據(jù)進(jìn)行驗證,以及
當(dāng)所述偏移電壓數(shù)據(jù)通過驗證時,基于所述偏移電壓數(shù)據(jù)更新所述偏移電壓表。
2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其中,當(dāng)施加所述默認(rèn)電壓時,所述處理器還配置成:
加載動態(tài)電壓頻率縮放DVFS表,以及
通過在所述DVFS表中識別與所述至少一個部件和所述特定頻率對應(yīng)的默認(rèn)電壓來施加所述默認(rèn)電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其中,所述至少一個部件包括中央處理單元(CPU)、內(nèi)部(INT)存儲器、存儲器接口(MIF)存儲器、圖形處理單元(GPU)以及圖像信號處理器(ISP)中的至少一個。
4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其中,在獲取所述偏移電壓數(shù)據(jù)時,所述處理器還配置成:
獲取與所述默認(rèn)電壓以及對應(yīng)于所述至少一個部件和所述特定頻率的HPM值有關(guān)的信息,以及
獲取與所述默認(rèn)電壓和所述HPM值對應(yīng)的偏移電壓數(shù)據(jù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子裝置,其中,當(dāng)獲取所述偏移電壓數(shù)據(jù)時,所述處理器還配置成:
根據(jù)通過以預(yù)設(shè)比率降低所述默認(rèn)電壓而獲取的經(jīng)更新的默認(rèn)電壓來獲取所述偏移電壓數(shù)據(jù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子裝置,其中,所述預(yù)設(shè)比率是由制造所述SoC的供應(yīng)商設(shè)定的裕度值。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子裝置,其中,在獲取所述偏移電壓數(shù)據(jù)時,所述處理器還配置成:
至少基于所比較的HPM值之間的差值來獲取所述偏移電壓數(shù)據(jù)。
8.?根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子裝置,其中,在獲取所述偏移電壓數(shù)據(jù)時,所述處理器還配置成:
在所述SoC安裝在所述電子裝置中的情況下的HPM值大于制造所述SoC的情況下的HPM值時,通過從經(jīng)更新的默認(rèn)電壓減去與所比較的HPM值之間的差值對應(yīng)的電壓來獲取所述偏移電壓數(shù)據(jù),以及
在所述SoC安裝在所述電子裝置中的情況下的HPM值小于制造所述SoC的情況下的HPM值時,通過將與所比較的HPM值之間的差值對應(yīng)的電壓和經(jīng)更新的默認(rèn)電壓相加來獲取所述偏移電壓數(shù)據(jù)。
9.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其中,當(dāng)將所述偏移電壓施加至所述至少一個部件時,所述處理器還配置成:
識別所述電子裝置的操作模式,以及
基于所識別的操作模式向所述至少一個部件施加特定電壓,所述特定電壓通過以所述默認(rèn)電壓與所述偏移電壓之間的差值的預(yù)定比率降低所述默認(rèn)電壓而獲得。
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