[發(fā)明專利]屏蔽至少一個(gè)亞波長(zhǎng)尺度物體免受入射電磁波的設(shè)備和方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780065092.3
• 申請(qǐng)日: 2017-10-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109844579B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 阿爾喬姆·博里斯金;米特拉·達(dá)姆加尼亞;勞倫·布朗德
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 交互數(shù)字CE專利控股公司
• 主分類號(hào): G02B5/20
• 分類號(hào): G02B5/20
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 林強(qiáng)

1.一種用于屏蔽亞波長(zhǎng)尺度物體(10)免受電磁波(20)的設(shè)備，該電磁波根據(jù)入射方向入射在所述設(shè)備上，所述設(shè)備包括：

介電材料層(112)，該介電材料層的表面具有形成臺(tái)階的水平變化，所述介電材料具有第一折射指數(shù)；以及

具有小于所述介電材料的第一折射指數(shù)的第二折射指數(shù)的介質(zhì)，其中該介質(zhì)與所述臺(tái)階接觸，并且

其中所述亞波長(zhǎng)尺度物體(10)位于所述設(shè)備內(nèi)的靜區(qū)中，其中所述靜區(qū)內(nèi)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度小于與所述亞波長(zhǎng)尺度物體的電磁靈敏度相關(guān)的閾值，其中所述至少一個(gè)亞波長(zhǎng)尺度物體(10)在所述靜區(qū)內(nèi)被屏蔽以免受所述電磁波(20)，其中所述靜區(qū)沿著與所述入射電磁波(20)的入射方向相同的方向在所述臺(tái)階附近的所述表面上方延伸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述設(shè)備，其中，所述臺(tái)階由在所述介電材料層(112)中制成的凹槽的邊緣形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述臺(tái)階由在所述介電材料層(112)中制成的腔(111)的邊緣形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中，所述靜區(qū)沿著所述電磁波的入射方向在所述腔內(nèi)部和在所述腔上方部分地延伸。

5.根據(jù)權(quán)利要求3和4中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述腔屬于具有至少兩個(gè)腔的組。

6.根據(jù)權(quán)利要求3和4中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述腔的目標(biāo)是圓柱形或錐形。

7.根據(jù)權(quán)利要求3和4中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述腔在所述入射電磁波的入射方向上以及在與所述入射電磁波的入射方向正交的任何方向上的尺寸，在所述介電材料中所述入射電磁波的波長(zhǎng)的一小部分與在所述介電材料中所述入射電磁波的幾個(gè)波長(zhǎng)之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求3和4中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述設(shè)備還包括形成基板的層(110)，所述基板與所述介電材料層鄰接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中，所述設(shè)備還包括形成覆板的層(113)，所述介電材料層位于所述基板和所述覆板之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中，形成所述基板的層和形成所述覆板的層由與所述介電材料層(112)的介電材料相同的介電材料制成。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中，所述介電材料選自包括下列項(xiàng)的組：(i)玻璃；(ii)塑料；(iii)聚合物材料；(iv)其中不發(fā)生等離子體效應(yīng)的有機(jī)光學(xué)透明導(dǎo)電氧化物，和(v)其中不發(fā)生等離子體效應(yīng)的無(wú)機(jī)光學(xué)透明導(dǎo)電氧化物。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中，所述覆板和所述基板中的一者或多者的材料選自包括下列項(xiàng)的組：(i)玻璃；(ii)塑料；(iii)聚合物材料；(iv)半導(dǎo)體材料；(v)液體；(vi)其中不發(fā)生等離子體效應(yīng)的有機(jī)光學(xué)透明導(dǎo)電材料；(vii)其中不發(fā)生等離子體效應(yīng)的無(wú)機(jī)光學(xué)透明導(dǎo)電材料；和(viii)氣體。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述亞波長(zhǎng)尺度物體選自包括下列項(xiàng)的組：(i)量子點(diǎn)；(ii)等離子體粒子；(iii)熒光染料；(iv)有機(jī)元素；和(v)納米結(jié)構(gòu)。

14.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，多個(gè)電磁波入射在所述設(shè)備上，并且與所述設(shè)備相關(guān)聯(lián)的所述靜區(qū)對(duì)應(yīng)于在與所述多個(gè)電磁波相關(guān)聯(lián)的靜區(qū)的交叉點(diǎn)處的區(qū)域，其中所述多個(gè)電磁波中的每個(gè)電磁波與各自的波長(zhǎng)相關(guān)聯(lián)。

15.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述介質(zhì)是真空、固體、氣體或液體。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述至少一個(gè)亞波長(zhǎng)尺度物體(10)發(fā)射另一電磁波。