[發明專利]電荷雪崩光電探測器系統

有效

• 申請號: 201780065010.5
• 申請日: 2017-10-13
• 公開（公告）號: CN110100315B
• 公開（公告）日: 2022-12-23
• 發明（設計）人: 伊內斯·弗雷塞
• 申請（專利權）人: 弗勞恩霍夫應用研究促進協會
• 主分類號: H01L31/02
• 分類號: H01L31/02;H01L27/144;H01L31/024
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華;何月華

1.一種電荷雪崩光電探測器系統(CAPDS)，包括：

基于電荷雪崩原理的電荷雪崩光電探測器；以及

放大器電子器件，所述放大器電子器件電連接在所述電荷雪崩光電探測器的下游；

其中，所述電荷雪崩光電探測器適合于選擇性地利用偏置電壓V_bias或不利用這種偏置電壓V_bias操作。

2.根據權利要求1所述的電荷雪崩光電探測器系統(CAPDS)，其特征在于，

通過所述放大器電子器件進行從利用偏置電壓V_bias的操作到不利用這種偏置電壓V_bias的操作的切換，反之亦然。

3.根據權利要求1或2所述的電荷雪崩光電探測器系統(CAPDS)，其特征在于，

在所述電荷雪崩光電探測器利用偏置電壓V_bias的操作以及在所述電荷雪崩光電探測器不利用這種偏置電壓V_bias的操作兩者中，所述電荷雪崩光電探測器系統(CAPDS)都是可操作的，并且選擇性地接通所述放大器電子器件或斷開所述放大器電子器件。

4.根據權利要求1或2所述的電荷雪崩光電探測器系統(CAPDS)，其特征在于，

所述電荷雪崩光電探測器能夠在蓋格模式、電荷積分模式和/或PIN光電二極管模式之間切換。

5.根據權利要求1或2所述的電荷雪崩光電探測器系統(CAPDS)，其特征在于，

所述電荷雪崩光電探測器系統(CAPDS)能夠在以下測量模式下操作，即所述電荷雪崩光電探測器系統(CAPDS)能夠從下面所列出的任一期望的測量模式切換到任一其它測量模式或者至少能夠按照以下順序在各自的直接相鄰的測量模式之間進行切換：

·總增益模式0：在不利用偏置電壓V_bias且在所述放大器電子器件斷開的情況下，操作所述電荷雪崩光電探測器；

·總增益模式1：在不利用偏置電壓V_bias且所述放大器電子器件接通的情況下，操作所述電荷雪崩光電探測器；

·總增益模式2：在利用偏置電壓V_bias且所述放大器電子器件斷開的情況下，操作所述電荷雪崩光電探測器；

·總增益模式3：在利用偏置電壓V_bias且所述放大器電子器件接通的情況下，操作所述電荷雪崩光電探測器。

6.根據權利要求1或2所述的電荷雪崩光電探測器系統(CAPDS)，其特征在于，

所述電荷雪崩光電探測器為硅光電倍增器(SiPM)或包括硅光電倍增器(SiPM)。

7.根據權利要求1或2所述的電荷雪崩光電探測器系統(CAPDS)，其特征在于，

所述放大器電子器件為跨阻抗放大器或所述放大器電子器件包括跨阻抗放大器。

8.根據權利要求1或2所述的電荷雪崩光電探測器系統(CAPDS)，其特征在于，

所述電荷雪崩光電探測器被配置在第一模塊中/被配置作為第一模塊，并且所述放大器電子器件被配置在第二模塊中/被配置作為第二模塊。

9.根據權利要求1或2所述的電荷雪崩光電探測器系統(CAPDS)，其特征在于，

所述電荷雪崩光電探測器嵌入或布置在冷卻元件中/所述電荷雪崩光電探測器嵌入或布置在冷卻元件處。

10.根據權利要求1-9中任一項所述的電荷雪崩光電探測器系統(CAPDS)用于光電探測的用途，其中，所述電荷雪崩光電探測器選擇性地利用偏置電壓V_bias或不利用偏置電壓V_bias操作。