[發明專利]具有補償電路的二進制加權衰減器

在審

• 申請號: 201780064950.2
• 申請日: 2017-08-28
• 公開（公告）號: CN109964407A
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發明（設計）人: 顏燕;J·李
• 申請（專利權）人: 天工方案公司
• 主分類號: H03H7/25
• 分類號: H03H7/25;H03H7/54
• 代理公司: 北京市正見永申律師事務所 11497
• 代理人: 黃小臨

1.一種射頻衰減器電路，包括：

多個衰減塊，其串聯設置在輸入節點和輸出節點之間，所述多個衰減塊中的每一個包括旁路路徑；以及

相位補償電路，其針對具有相應的旁路路徑的所述衰減塊中的至少一些衰減塊中的每一個而實現，所述相位補償電路配置為補償與對應的旁路路徑相關聯的關斷電容效應。

2.如權利要求1所述的衰減器電路，其中所述衰減塊具有二進制加權衰減值。

3.如權利要求2所述的衰減器電路，其中所述二進制加權衰減值包括N個值，其中第i個值為A2^i-1，其中A為步進衰減值且i為從1至N的正整數。

4.如權利要求3所述的衰減器電路，其中所述步進衰減值A大約為1dB。

5.如權利要求3所述的衰減器電路，其中數量N包括2、3、4、5、6、7或8。

6.如權利要求1所述的衰減器電路，其中所述衰減塊中的至少一個不具有相位補償電路。

7.如權利要求6所述的衰減器電路，其中不具有相位補償電路的所述至少一個衰減塊包括具有最低衰減值的衰減塊。

8.如權利要求1所述的衰減器電路，其中所述衰減塊中的至少一個配置為pi衰減器。

9.如權利要求8所述的衰減器電路，其中具有所述pi衰減器的至少一個衰減塊包括具有最高衰減值的衰減塊。

10.如權利要求8所述的衰減器電路，其中具有所述pi衰減器的所述衰減塊的所述旁路路徑包括旁路開關晶體管，所述旁路開關晶體管配置為在所述衰減塊處于旁路模式中時導通且在處于衰減模式中時關斷，使得在處于衰減模式中時所述旁路開關晶體管提供關斷電容。

11.如權利要求10所述的衰減器電路，其中具有所述pi衰減器的所述衰減塊的所述相位補償電路包括配置為在所述衰減器塊處于衰減模式中時補償所述關斷電容的相位補償電路。

12.如權利要求11所述的衰減器電路，其中所述pi衰減器包括電阻、實現在所述電阻的一端和地之間的第一分流路徑、實現在所述電阻的另一端和所述地之間的第二分流路徑，所述第一分流路徑和所述第二分流路徑中的每一個包括分流電阻。

13.如權利要求12所述的衰減器電路，其中與所述pi衰減器相關聯的所述相位補償電路包括：布置為與所述第一分流電阻電并聯的第一補償電容，以及布置為與所述第二分流電阻電并聯的第二補償電容。

14.如權利要求13所述的衰減器電路，其中所述旁路開關晶體管的所述關斷電容導致相位超前變化，且所述相位補償電路配置為提供相位滯后變化來補償所述相位超前變化。

15.如權利要求14所述的衰減器電路，其中所述第一分流電阻和所述第二分流電阻具有基本上相同的值，且所述第一補償電容和所述第二補償電容具有基本上相同的值。

16.如權利要求15所述的衰減器電路，其中所述相位超前變化的量計算為且所述相位滯后變化的量可計算為其中ω為2π乘以頻率，R_L為負載阻抗，R₁為電阻，C_C為第一本地補償電容，以及R′₂為所述第一分流電阻和所述負載阻抗的并聯布置的等效電阻。

17.如權利要求16所述的衰減器電路，其中選擇所述第一補償電容的值使得所述相位滯后變化的幅值與所述相位超前變化的幅值基本上相同。