[發(fā)明專利]高頻基體、高頻封裝件以及高頻模塊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780064943.2
• 申請日: 2017-09-11
• 公開（公告）號: CN109863591B
• 公開（公告）日: 2023-07-07
• 發(fā)明（設計）人: 川頭芳規(guī)
• 申請（專利權）人: 京瓷株式會社
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12;H01L23/02;H01L23/13;H05K1/02;H05K1/18
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王暉

1.一種高頻基體，其特征在于，具備：

絕緣基體，在上表面具有凹部；

第1線路導體，位于所述絕緣基體的上表面；和

第2線路導體，位于所述絕緣基體的上表面，并且在俯視下與所述第1線路導體空出間隔并與所述第1線路導體并行地延伸，

所述凹部位于所述第1線路導體與所述第2線路導體之間，在俯視下與第1線路導體和第2線路導體并行地延伸并且介電常數(shù)比所述絕緣基體的介電常數(shù)低，

所述第1線路導體具有在中途將該第1線路導體分離的第1分離部，所述第1線路導體的被分離的各個具備：與所述第1分離部連續(xù)的第1電極焊盤、和從該第1電極焊盤延伸設置的第1線路，

所述第2線路導體具有在中途將該第2線路導體分離的第2分離部，所述第2線路導體的被分離的各個具備：與所述第2分離部連續(xù)的第2電極焊盤、和從該第2電極焊盤延伸設置的第2線路，

在俯視下，所述第1電極焊盤和所述第2電極焊盤被設置為夾著所述凹部而對置，并且

所述凹部在俯視下從一個所述第1電極焊盤與所述第2電極焊盤之間，經(jīng)由所述第1分離部和所述第2分離部之間，延伸到另一個所述第1電極焊盤和所述第2電極焊盤之間。

2.根據(jù)權利要求1所述的高頻基體，其特征在于，

所述凹部遍及各個所述第1電極焊盤的所述第1線路所連接的一側的端部、以及各個所述第2電極焊盤的所述第2線路所連接的一側的端部，與所述第1線路導體以及所述第2線路導體并行地延伸。

3.根據(jù)權利要求1所述的高頻基體，其特征在于，

在第1電極焊盤之間以及第2電極焊盤之間，所述絕緣基體凹陷。

4.根據(jù)權利要求1至3的任意一項所述的高頻基體，其特征在于，

在位于所述第1電極焊盤與所述第2電極焊盤之間的所述凹部的端部的側壁具有切口部。

5.根據(jù)權利要求4所述的高頻基體，其特征在于，

在所述切口部的表面具有金屬化層。

6.根據(jù)權利要求1所述的高頻基體，其特征在于，

在所述絕緣基體的上表面還具有接地導體層，所述接地導體層位于與所述第1線路導體、所述第2線路導體空出間隔的位置。

7.根據(jù)權利要求1所述的高頻基體，其特征在于，

所述高頻基體具備：被配置于所述第1分離部的上表面的第1電容器、和被配置于所述第2分離部的上表面的第2電容器。

8.根據(jù)權利要求3所述的高頻基體，其特征在于，

在所述第1電極焊盤之間以及所述第2電極焊盤之間設置與所述凹部連續(xù)的槽。

9.根據(jù)權利要求1所述的高頻基體，其特征在于，

所述凹部在剖視下為矩形狀、錐狀或者階梯形狀。

10.根據(jù)權利要求1所述的高頻基體，其特征在于，

所述凹部在俯視下為矩形狀、橢圓形狀、正方形狀或者角部為圓形的矩形狀。

11.根據(jù)權利要求1所述的高頻基體，其特征在于，

所述凹部由空氣或者包含樹脂材料、玻璃材料的電介質材料填滿。

12.根據(jù)權利要求1所述的高頻基體，其特征在于，

所述第1電極焊盤的寬度比所述第1線路的寬度大，所述第2電極焊盤的寬度比所述第2線路的寬度大。

13.一種高頻封裝件，其特征在于，具備：

基板；

殼體，與所述基板的上表面接合，并且具有貫通孔；和

被固定于所述殼體的所述貫通孔的權利要求1至6的任意一項所述的高頻基體。

14.一種高頻模塊，其特征在于，具備：

權利要求13所述的高頻封裝件；

半導體元件，被安裝于所述基板的上表面，并且與所述高頻封裝件的所述高頻基體電連接；和

蓋體，與所述殼體的上端接合，覆蓋所述半導體元件并且覆蓋所述高頻封裝件的內(nèi)部。