[發(fā)明專利]用于制造印刷電路板的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780064457.0 | 申請日： | 2017-08-21 |
| 公開（公告）號： | CN109845413B | 公開（公告）日： | 2022-07-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | J·A·A·M·圖爾內(nèi) | 申請（專利權(quán)）人： | 奈科斯特金技術(shù)私人有限公司 |
| 主分類號： | H05K1/02 | 分類號： | H05K1/02;H05K1/11;H05K3/10;H05K3/42 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 蔡洪貴 |
| 地址： | 荷蘭海*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 制造 印刷 電路板 方法 | ||
1.一種用于制造印刷電路板的方法，包括以下步驟：
在具有至少三個層的基板中形成第一狹槽，所述第一狹槽延伸穿過所述層中的至少兩個層，所述第一狹槽具有長度和寬度，所述第一狹槽的所述長度大于所述寬度；
用導(dǎo)電層涂覆所述基板的圍繞所述第一狹槽的側(cè)壁；
通過移除所述導(dǎo)電層和所述基板的第一部分以及所述導(dǎo)電層和所述基板的第二部分形成至少一個橫切狹槽來將所述導(dǎo)電層分隔成沿著所述基板的所述側(cè)壁電絕緣的至少兩段；以及
用非導(dǎo)電填充材料填充所述第一狹槽；以及
在位于所述兩段之間的非導(dǎo)電填充材料內(nèi)形成電磁屏蔽部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一部分和所述第二部分對準并且位于所述第一狹槽的相反兩側(cè)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一部分和所述第二部分沿著所述第一狹槽的所述長度間隔開。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成至少一個橫切狹槽的步驟被進一步限定為將直徑小于所述第一狹槽的工具定位到所述第一狹槽中，以便在所述工具被定位在所述第一狹槽內(nèi)時避免與所述導(dǎo)電層接觸，以及將所述工具移動到所述導(dǎo)電層和側(cè)壁中，以形成將所述導(dǎo)電層分隔成至少兩段的所述至少一個橫切狹槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一狹槽的步驟包括形成所述第一狹槽的至少一部分以避免所述第一狹槽延伸穿過所述層中的至少一個層，從而形成所述第一狹槽的底板，并且進一步包括用所述導(dǎo)電層鍍覆所述第一狹槽的底板以使得所述導(dǎo)電層在所述第一狹槽的第一側(cè)和所述第一狹槽的第二側(cè)之間連續(xù)的步驟，其中，分隔所述導(dǎo)電層的步驟被進一步限定為移除所述導(dǎo)電層和所述基板的在所述第一狹槽的底板上的一部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述電磁屏蔽部被進一步限定為在所述非導(dǎo)電填充材料內(nèi)形成第二狹槽，并且將導(dǎo)電材料定位在所述第二狹槽內(nèi)以形成所述電磁屏蔽部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，將所述導(dǎo)電材料定位在所述第二狹槽內(nèi)被進一步限定為用導(dǎo)電材料鍍覆形成所述第二狹槽的邊界的周邊側(cè)壁。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，將所述導(dǎo)電材料定位在所述第二狹槽內(nèi)被進一步限定為用導(dǎo)電材料填充所述第二狹槽。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電材料是導(dǎo)電膏。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的方法，其特征在于，通過移除所述導(dǎo)電層和所述基板的所述第一部分以及所述導(dǎo)電層和所述基板的所述第二部分形成至少一個橫切狹槽被進一步限定為移除所述導(dǎo)電層和所述基板的所述第一部分以及所述導(dǎo)電層和所述基板的所述第二部分破壞所述基板中的縱向絲物的量，從而防止導(dǎo)電性陽極絲效應(yīng)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的方法，其特征在于，所述第一狹槽具有底板，所述至少兩段各自具有第一側(cè)和第二側(cè)，并且所述方法還包括：
用導(dǎo)電層鍍覆所述第一狹槽的底板；以及
通過從所述底板移除所述導(dǎo)電層的至少一部分來將所述底板的導(dǎo)電層分隔成至少兩段，使得所述段的第一側(cè)沿著所述第一狹槽的底板與所述段的第二側(cè)電絕緣。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的方法，其特征在于，在所述基板中形成所述第一狹槽包括在所述基板中形成所述第一狹槽使所述第一狹槽的第一區(qū)域延伸穿過所述基板的第一數(shù)量的層，并且使所述第一狹槽的第二區(qū)域延伸穿過所述基板的第二數(shù)量的層，所述第一數(shù)量的層不同于第二數(shù)量的層。
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