[發明專利]用于高功率脈沖磁控濺射(HiPIMS)的功率輸送

在審

• 申請號: 201780064294.6
• 申請日: 2017-09-12
• 公開（公告）號: CN109863574A
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 維加斯拉夫·巴巴揚;阿道夫·米勒·艾倫;邁克爾·斯托威爾;華忠強;卡爾·R·約翰遜;凡妮莎·法恩;劉菁菁
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01J37/34
• 分類號: H01J37/34
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種用于產生和輸送用于處理腔室的脈沖高電壓信號的系統，包括：

遠程設置的高電壓源，所述遠程設置的高電壓源產生高電壓信號；

脈沖發生器，所述脈沖發生器比所述高電壓源相對更靠近所述處理腔室而設置；

第一屏蔽纜線，所述第一屏蔽纜線將所述高電壓信號從所述遠程設置的高電壓源輸送至所述脈沖發生器來加以脈沖；和

第二屏蔽纜線，所述第二屏蔽纜線將脈沖高電壓信號從所述脈沖發生器輸送至所述處理腔室。

2.如權利要求1所述的系統，其中所述處理腔室位于潔凈室中，并且所述高電壓源位于子制造區(subfab)設施中。

3.如權利要求2所述的系統，其中所述子制造區設施包括在所述潔凈室下方的空間(room)。

4.如權利要求1所述的系統，其中所述脈沖發生器位于所述處理腔室的頂表面上。

5.如權利要求4所述的系統，其中來自所述脈沖發生器的所述脈沖高電壓信號經由所述處理腔室內部的纜線輸送到所述處理腔室。

6.如權利要求1所述的系統，其中所述第二屏蔽纜線包括低電感屏蔽纜線。

7.如權利要求1所述的系統，其中所述脈沖高電壓信號被輸送到所述處理腔室的靶材。

8.如權利要求1所述的系統，其中所述第一屏蔽纜線或所述第二屏蔽纜線中的至少一者包括標準DC纜線。

9.一種用于產生和輸送脈沖高電壓信號到處理腔室的方法，包括以下步驟：

在遠離所述處理腔室的位置處產生高電壓信號；

將所述高電壓信號輸送到相對更靠近所述處理腔室的位置來加以脈沖；

對所輸送的高電壓信號加以脈沖；和

將脈沖高電壓信號輸送到所述處理腔室。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述高電壓信號由位于子制造區設施中的高電壓源產生。

11.如權利要求10所述的方法，其中所述子制造區設施包括與潔凈室分開的空間，所述處理腔室位于所述空間中。

12.如權利要求9所述的方法，其中脈沖發生器對所述高電壓信號加以脈沖，所述脈沖發生器位于所述高電壓源的位置與所述處理腔室的位置之間。

13.如權利要求9所述的方法，其中使用屏蔽纜線輸送所述高電壓信號來加以脈沖。

14.如權利要求9所述的方法，其中使用屏蔽纜線將脈沖高電壓信號輸送到所述處理腔室。

15.如權利要求14所述的方法，其中所述屏蔽纜線包括低電感屏蔽纜線。