[發(fā)明專利]微波輸出裝置及等離子體處理裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780063567.5
• 申請(qǐng)日: 2017-10-04
• 公開（公告）號(hào): CN109952816B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金子和史;河田祐紀(jì);村井浩一;牛窪隆之
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社;東京計(jì)器株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H05H1/46
• 分類號(hào): H05H1/46
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種微波輸出裝置，其具備：

微波產(chǎn)生部，產(chǎn)生具有分別與自控制器指示的設(shè)定頻率及設(shè)定功率對(duì)應(yīng)的頻率及功率的微波；

輸出部，輸出自所述微波產(chǎn)生部傳播的微波；

第1方向性耦合器，輸出自所述微波產(chǎn)生部傳播至所述輸出部的行進(jìn)波的一部分；及

第1測(cè)定部，基于自所述第1方向性耦合器輸出的所述行進(jìn)波的所述一部分，確定表示所述輸出部中的所述行進(jìn)波的功率的第1測(cè)定值，

所述第1測(cè)定部具有：

第1檢波部，使用二極管檢波，產(chǎn)生與所述行進(jìn)波的所述一部分的功率對(duì)應(yīng)的模擬信號(hào)；

第1A/D轉(zhuǎn)換器，將通過所述第1檢波部產(chǎn)生的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字值；及

第1處理部，構(gòu)成為自為了將由所述第1A/D轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的數(shù)字值校正為所述輸出部中的行進(jìn)波的功率而預(yù)先設(shè)定的多個(gè)第1校正系數(shù)中，選擇與由所述控制器指示的所述設(shè)定頻率及所述設(shè)定功率建立對(duì)應(yīng)的一個(gè)以上的第1校正系數(shù)，且將所選擇的該一個(gè)以上的第1校正系數(shù)與由所述第1A/D轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的所述數(shù)字值相乘，由此確定所述第1測(cè)定值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波輸出裝置，其中，

所述多個(gè)第1校正系數(shù)包含分別與多個(gè)設(shè)定頻率建立對(duì)應(yīng)的多個(gè)第1系數(shù)、及分別與多個(gè)設(shè)定功率建立對(duì)應(yīng)的多個(gè)第2系數(shù)，

所述第1處理部構(gòu)成為將所述多個(gè)第1系數(shù)中與由所述控制器指示的所述設(shè)定頻率建立對(duì)應(yīng)的第1系數(shù)、及所述多個(gè)第2系數(shù)中與由所述控制器指定的所述設(shè)定功率建立對(duì)應(yīng)的第2系數(shù)作為所述一個(gè)以上的第1校正系數(shù)，與由所述第1A/D轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的所述數(shù)字值相乘，由此確定所述第1測(cè)定值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波輸出裝置，其還具備：

第2方向性耦合器，將返回至所述輸出部的反射波的一部分輸出；及

第2測(cè)定部，基于自所述第2方向性耦合器輸出的所述反射波的一部分，確定表示所述輸出部中的所述反射波的功率的第2測(cè)定值，

所述第2測(cè)定部具有：

第2檢波部，使用二極管檢波，產(chǎn)生與所述反射波的一部分的功率對(duì)應(yīng)的模擬信號(hào)；

第2A/D轉(zhuǎn)換器，將通過所述第2檢波部產(chǎn)生的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字值；及

第2處理部，構(gòu)成為自為了將由所述第2A/D轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的數(shù)字值校正為所述輸出部中的反射波的功率而預(yù)先設(shè)定的多個(gè)第2校正系數(shù)中，選擇與由所述控制器指示的所述設(shè)定頻率及所述設(shè)定功率建立對(duì)應(yīng)的一個(gè)以上的第2校正系數(shù)，且將所選擇的該一個(gè)以上的第2校正系數(shù)與由所述第2A/D轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的所述數(shù)字值相乘，由此確定所述第2測(cè)定值。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微波輸出裝置，其中，

所述多個(gè)第2校正系數(shù)包含分別與多個(gè)設(shè)定頻率建立對(duì)應(yīng)的多個(gè)第3系數(shù)、及分別與多個(gè)設(shè)定功率建立對(duì)應(yīng)的多個(gè)第4系數(shù)，

所述第2處理部構(gòu)成為將所述多個(gè)第3系數(shù)中與由所述控制器指示的所述設(shè)定頻率建立對(duì)應(yīng)的第3系數(shù)、及所述多個(gè)第4系數(shù)中與由所述控制器指定的所述設(shè)定功率建立對(duì)應(yīng)的第4系數(shù)作為所述一個(gè)以上的第2校正系數(shù)，與由所述第2A/D轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的所述數(shù)字值相乘，由此確定所述第2測(cè)定值。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的微波輸出裝置，其中，

所述微波產(chǎn)生部具有以使所述第1測(cè)定值與所述第2測(cè)定值之差接近由所述控制器指定的所述設(shè)定功率的方式，調(diào)整該微波產(chǎn)生部所產(chǎn)生的所述微波的功率的功率控制部。

6.一種等離子體處理裝置，其具備：

腔室主體；及

權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的微波輸出裝置，輸出用于使被供給至所述腔室主體內(nèi)的氣體激發(fā)的微波。