[發(fā)明專利]用于使鐵氧體陶瓷金屬化的方法以及具有金屬化的鐵氧體陶瓷的結構元件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780063412.1 | 申請日: | 2017-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN110114326A | 公開(公告)日: | 2019-08-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | P.梅斯納;F.羅伊德;S.齊格勒 | 申請(專利權)人: | 沃思電子埃索斯有限責任兩合公司 |
| 主分類號: | C04B41/88 | 分類號: | C04B41/88;C04B41/90;H01F17/04 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 劉子豪;金飛 |
| 地址: | 德國沃*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鐵氧體陶瓷 接觸元件 金屬化 銅合金 熔點 熔化 結構元件 冷卻 | ||
1.用于使鐵氧體陶瓷金屬化的方法,具有以下的步驟:
將由銅或銅合金構成的接觸元件(18)布置在所述鐵氧體陶瓷的表面上,
至少在如下區(qū)域中熔化所述接觸元件(18),在所述區(qū)域中所述接觸元件(18)接觸所述鐵氧體陶瓷的表面,以及
冷卻所述接觸元件(18)以及所述鐵氧體陶瓷直到所述銅的或所述銅合金的熔點之下。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法,其特征在于,所述接觸元件(18)完全熔化并且在熔化的狀態(tài)中液滴狀地安放在所述鐵氧體陶瓷的表面上。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述鐵氧體陶瓷在所述接觸元件熔化之前被預熱到在300°C和600°C之間、尤其在300°C和400°C之間的溫度上。
4.根據(jù)權利要求3所述的方法,其特征在于,所述鐵氧體陶瓷以在每分鐘80開爾文和150開爾文之間的加熱率被預熱。
5.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法,其特征在于,繞組線或聯(lián)接線與所述接觸元件(18)的連接與所述接觸元件的熔化同時進行。
6.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法,其特征在于,在所述接觸元件(18)與所述鐵氧體陶瓷連接之后,將所述接觸元件(18)的可觸及的表面以錫層來覆層。
7.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法,其特征在于,在所述接觸元件(18)與所述鐵氧體陶瓷連接之后,磨削所述接觸元件(18)。
8.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法,其特征在于,所述鐵氧體陶瓷以及所述接觸元件(18)的冷卻借助于自然對流來進行。
9.具有鐵氧體陶瓷以及由銅或銅合金構成的至少一個接觸元件(18)的結構元件,其特征在于,所述接觸元件(18)與所述鐵氧體陶瓷連接并且在所述鐵氧體陶瓷的表面和所述接觸元件(18)之間的過渡區(qū)域中布置有由銅以及銅氧化物或所述銅合金以及銅氧化物構成的過渡層(24)。
10.根據(jù)權利要求9所述的結構元件,其特征在于,所述鐵氧體陶瓷包含鐵氧化物(Fe3O4)作為主要成分。
11.根據(jù)權利要求10所述的結構元件,其特征在于,所述鐵氧體陶瓷除了所述主要成分鐵氧化物之外附加地包含元素錳(Mn)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鉍(Bi)、硅(Si)、鈷(Co)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鈦(Ti)、鋅(Zn)和/或銻(Sb)的氧化物。
12.根據(jù)權利要求9至11中至少一項所述的結構元件,其特征在于,所述鐵氧體陶瓷具有至少一個凹腔(22)用于至少以區(qū)段方式地容納所述接觸元件(18)。
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