[發明專利]用于近場功率傳送系統的小型化高效設計

有效

• 申請號: 201780062480.6
• 申請日: 2017-08-14
• 公開（公告）號: CN109874351B
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 阿利斯特·胡斯尼;邁克爾·A·利布曼
• 申請（專利權）人: 艾諾格思公司
• 主分類號: H02J5/00
• 分類號: H02J5/00
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 尚玲;姚開麗

1.一種近場射頻RF功率傳送系統，所述近場射頻RF功率傳送系統包括發射器，所述發射器包括：

第一天線元件，所述第一天線元件被設置在基板的第一表面上或下方并且被配置為在第一時間段期間在第一方向上承載第一電流以產生第一RF輻射；

第二天線元件，所述第二天線元件被設置在所述基板的所述第一表面上或下方，并且被配置為在所述第一時間段期間在與所述第一方向不同且相反的第二方向上承載第二電流以產生第二RF輻射，使得(i)所述第二RF輻射的遠場部分基本上抵消所述第一RF輻射的遠場部分，以及(ii)所述第二RF輻射的近場部分基本上不抵消所述第一RF輻射的近場部分，其中，所述第一天線元件被定位在所述第二天線元件上方，并且當電子設備在所述發射器的預定靠近度內時，所述第一天線元件和所述第二天線元件產生所述第一RF輻射和所述第二RF輻射，并且其中，所述第二RF輻射的近場部分和所述第一RF輻射的近場部分被發送到所述電子設備，所述電子設備將所述第二RF輻射的近場部分和所述第一RF輻射的近場部分轉換為用于為所述電子設備充電的可用電力；

接地平面，所述接地平面被設置在所述基板的第二表面上或下方，其中，所述第二表面與所述第一表面相對；

第一通孔，所述第一通孔通過所述接地平面，其中，所述第一通孔包含被配置為供給所述第一電流的第一功率饋送線；以及

第二通孔，所述第二通孔通過所述接地平面，其中，所述第二通孔與所述第一通孔不同且包含被配置為供給所述第二電流的第二功率饋送線。

2.根據權利要求1所述的近場射頻RF功率傳送系統，其中，所述第一天線元件和所述第二天線元件是螺旋天線的段。

3.根據權利要求1所述的近場射頻RF功率傳送系統，其中，所述第一天線元件是偶極天線的第一極的段，并且所述第二天線元件是所述偶極天線的第二極的段。

4.根據權利要求1所述的近場射頻RF功率傳送系統，其中，所述第一天線元件和所述第二天線元件是環形天線的段。

5.根據權利要求1所述的近場射頻RF功率傳送系統，其中，所述第一天線元件和所述第二天線元件是包括同心環的環形天線的段。

6.根據權利要求1所述的近場射頻RF功率傳送系統，其中，所述第一天線元件和所述第二天線元件是單極天線的段。

7.根據權利要求1所述的近場射頻RF功率傳送系統，其中，所述第一天線元件和所述第二天線元件是包括兩個螺旋極的混合偶極天線的段。

8.根據權利要求1所述的近場射頻RF功率傳送系統，其中，所述第一天線元件和所述第二天線元件是分級螺旋天線的段。

9.根據權利要求1所述的近場射頻RF功率傳送系統，其中，所述接地平面由銅或銅合金的實心金屬片構成。

10.根據權利要求1所述的近場射頻RF功率傳送系統，其中，所述接地平面由金屬條構成，所述金屬條以選自由環、螺旋和網構成的組中的形狀布置。

11.根據權利要求1所述的近場射頻RF功率傳送系統，其中，所述第一天線元件和所述第二天線元件由銅或銅合金構成。

12.根據權利要求1所述的近場射頻RF功率傳送系統，其中，所述第一RF輻射的遠場部分抵消第二RF輻射的遠場部分。

13.根據權利要求1所述的近場射頻RF功率傳送系統，其中，所述接地平面被配置為反射由所述第一天線元件和所述第二天線元件產生的RF輻射的至少一部分。

14.根據權利要求1所述的近場射頻RF功率傳送系統，其中，所述接地平面被配置為抵消由所述第一天線元件和所述第二天線元件產生的RF輻射的至少一部分。