[發明專利]電介質陶瓷組合物及陶瓷電子零件

有效

• 申請號: 201780062201.6
• 申請日: 2017-10-11
• 公開（公告）號: CN109803941B
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發明（設計）人: 野村武史;根本淳史;佐佐木由香里;竹本和彥;木下菜緒美;高橋由美
• 申請（專利權）人: 昭榮化學工業株式會社
• 主分類號: C04B35/499
• 分類號: C04B35/499;H01B3/12;H01G4/12;H01G4/30
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 沈雪

1.一種用于陶瓷電子零件的電介質陶瓷組合物，其包含第一成分和第二成分，

第一成分包含：相對于換算成下述氧化物時的第一成分的總摩爾數的含有比例以CaO換算為0~35.85mol%的Ca的氧化物、以SrO換算為0~47.12mol%的Sr的氧化物、以BaO換算為0~51.22mol%的Ba的氧化物、以TiO₂換算為0~17.36mol%的Ti的氧化物、以ZrO₂換算為0~17.36mol%的Zr的氧化物、以SnO₂換算為0~2.60mol%的Sn的氧化物、以Nb₂O₅換算為0~35.32mol%的Nb的氧化物、以Ta₂O₅換算為0~35.32mol%的Ta的氧化物、以及以V₂O₅換算為0~2.65mol%的V的氧化物，

該第一成分含有選自Ca的氧化物、Sr的氧化物及Ba的氧化物中的至少1種、選自Ti的氧化物及Zr的氧化物中的至少1種、以及選自Nb的氧化物及Ta的氧化物中的至少1種作為必要成分，并且相對于換算成所述氧化物時的第一成分的總摩爾數，CaO換算的Ca的氧化物、SrO換算的Sr的氧化物及BaO換算的Ba的氧化物的總含有比例為48.72~51.22mol%，TiO₂換算的Ti的氧化物、ZrO₂換算的Zr氧化物及SnO₂換算的Sn的氧化物的總含有比例為15.97~17.36mol%，Nb₂O₅換算的Nb的氧化物、Ta₂O₅換算的Ta氧化物及V₂O₅換算的V的氧化物的總含有比例為31.42~35.31mol%，

該電介質陶瓷組合物至少含有Mn的氧化物作為第二成分，相對于換算成所述氧化物時的第一成分的總質量，MnO換算的所述Mn的氧化物的含有比例大于0質量%并且為3.5質量%以下，并且該第二成分含有選自Mg的氧化物、Si的氧化物及Y的氧化物中的至少1種。

2.根據權利要求1所述的電介質陶瓷組合物，其含有Mn的氧化物及D的氧化物作為第二成分，D是選自Li、Cr、Al、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、In、W、Mo、Hf、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu中的至少1種。

3.根據權利要求1所述的電介質陶瓷組合物，其包含鎢青銅型晶相。

4.根據權利要求1所述的電介質陶瓷組合物，其在25℃下的相對介電常數為100以上。

5.根據權利要求4所述的電介質陶瓷組合物，其在25℃下的相對介電常數為200以上。

6.根據權利要求5所述的電介質陶瓷組合物，其在25℃下的相對介電常數為300以上。

7.根據權利要求1所述的電介質陶瓷組合物，其靜電容量變化率在-55℃~200℃的溫度范圍中為-50%~50%的范圍內。

8.根據權利要求1所述的電介質陶瓷組合物，其靜電容量變化率在-55℃~200℃的溫度范圍中為-33%~22%的范圍內。

9.根據權利要求1所述的電介質陶瓷組合物，其在25℃下的介電損耗tanδ為10%以下，并且在200℃下的介電損耗tanδ為10%以下。

10.一種陶瓷電子零件，其包含由權利要求1~9中任一項所述的電介質陶瓷組合物形成的電介質層、以及含有賤金屬作為導電成分的電極層。

11.根據權利要求10所述的陶瓷電子零件，其中，

所述賤金屬為選自鎳及銅中的至少1種。

12.根據權利要求10或11中任一項所述的陶瓷電子零件，其層疊有多層所述電介質層和所述電極層。