[發明專利]用于移除半導體基材上殘余物的清潔制劑

在審

• 申請號: 201780062080.5
• 申請日: 2017-10-05
• 公開（公告）號: CN109790028A
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 樸起永;E·A·克內爾;T·多瑞;高橋智威
• 申請（專利權）人: 富士膠片電子材料美國有限公司
• 主分類號: C01B21/14
• 分類號: C01B21/14;C11D3/30;C11D7/50
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 林祥

1.一種清潔組合物，包括：

1)至少一種氧化還原劑；

2)至少一種有機溶劑，其選自由水溶性醇、水溶性酮、水溶性酯及水溶性醚所組成的組；

3)至少一種含金屬的添加劑；及

4)水。

2.如權利要求1所述的組合物，其中，所述組合物具有約7至約11的pH。

3.如權利要求1所述的組合物，其中，所述至少一種氧化還原劑包括羥胺。

4.如權利要求1所述的組合物，其中，所述至少一種氧化還原劑為所述組合物的約5重量％至約20重量％。

5.如權利要求1所述的組合物，其中，所述至少一種有機溶劑包含兩種有機溶劑。

6.如權利要求5所述的組合物，其中，所述兩種有機溶劑各自獨立地選自由烷撐二醇及烷撐二醇醚所組成的組。

7.如權利要求1所述的組合物，其中，所述至少一種有機溶劑為所述組合物的約60重量％至約95重量％。

8.如權利要求1所述的組合物，其中，所述至少一種含金屬的添加劑包括金屬鹵化物、金屬氫氧化物、金屬硼化物、金屬烷氧化物、金屬氧化物或含金屬的銨鹽。

9.如權利要求1所述的組合物，其中，所述至少一種含金屬的添加劑包括2A族金屬、3B族金屬、4B族金屬、5B族金屬或鑭系金屬。

10.如權利要求9所述的組合物，其中，所述至少一種含金屬的添加劑包括Ca、Ba、Ti、Hf、Sr、La、Ce、W、V、Nb或Ta。

11.如權利要求1所述的組合物，其中，所述至少一種含金屬的添加劑包括硼化鎢、Ca(OH)₂、BaCl₂、SrCl₂、LaCl₃、CeCl₃、(NH₄)₂TiF₆、BaTiO₃、Ti(OEt)₄、Ti(OCH(CH₃)₂)₄、HfO₂、V₂O₅、Nb₂O₅或TaF₃。

12.如權利要求1所述的組合物，其中，所述至少一種含金屬的添加劑為所述組合物的約0.001重量％至約0.5重量％。

13.如權利要求1所述的組合物，其中，所述水為所述組合物的約5％至約28％。

14.如權利要求1所述的組合物，還包括pH調節劑。

15.如權利要求14所述的組合物，其中，所述pH調節劑為1,8-二氮雜二環[5.4.0]-7-十一碳烯。

16.如權利要求1所述的組合物，還包括至少一種清潔添加劑。

17.如權利要求16所述的組合物，其中，所述至少一種清潔添加劑為含硫的添加劑。

18.如權利要求17所述的組合物，其中，所述含硫的添加劑包括硫醇或硫醚。