[發(fā)明專利]用于垂直結(jié)高速相位調(diào)制器的方法和系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780061501.2
• 申請日: 2017-09-01
• 公開（公告）號: CN109791315B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 阿蒂拉·米基斯;蘇巴爾·薩尼;揚妮克·德·科寧克;詹洛倫佐·馬西尼;法伊茲赫·古拉米
• 申請（專利權(quán)）人: 盧克斯特拉有限公司
• 主分類號: G02F1/025
• 分類號: G02F1/025;G02F1/225
• 代理公司: 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 林強

1.一種半導(dǎo)體裝置，所述裝置包括：

半導(dǎo)體波導(dǎo)，包括平板部、在所述平板部上方延伸的肋部以及在所述肋部兩側(cè)在所述平板部上方延伸的凸起脊；

垂直pn結(jié)，其中，p摻雜材料和n摻雜材料在所述肋部和所述平板部中彼此垂直設(shè)置，其中，所述肋部在沿著所述半導(dǎo)體波導(dǎo)的每個橫截面中是完全n摻雜的或完全p摻雜的；

通過在凸起脊上形成接觸部，與所述p摻雜和所述n摻雜材料的電連接；并且

經(jīng)由所述半導(dǎo)體波導(dǎo)的周期性設(shè)置的部分從所述接觸部中的一個接觸部向肋部提供電連接，其中，所述周期性設(shè)置的部分中的所述肋部和所述平板部兩者的橫截面是完全n摻雜的或完全p摻雜的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述肋部沿著所述半導(dǎo)體波導(dǎo)的整個長度是完全n摻雜的或完全p摻雜的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述肋部沿著所述半導(dǎo)體波導(dǎo)的整個長度在完全p摻雜或完全n摻雜部分之間交替。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述平板部沿著所述半導(dǎo)體波導(dǎo)的整個長度在完全p摻雜或完全n摻雜部分之間交替。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，除了周期性設(shè)置的部分之外，所述平板部沿著所述半導(dǎo)體波導(dǎo)的整個長度是完全n摻雜的或完全p摻雜的。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述凸起脊通過溝槽與所述肋部分離。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述半導(dǎo)體波導(dǎo)包括光調(diào)制器的第一相位調(diào)制部分。

8.一種半導(dǎo)體裝置，該裝置包括：

半導(dǎo)體波導(dǎo)，包括平板部、在所述平板部上方延伸的肋部以及在所述肋部兩側(cè)在所述平板部上方延伸的凸起脊；

垂直pn結(jié)，其中，p摻雜材料和n摻雜材料分別在所述肋部和所述平板部中彼此垂直設(shè)置，其中，所述肋部在沿著所述半導(dǎo)體波導(dǎo)的每個橫截面中是完全n摻雜的或完全p摻雜的；

經(jīng)由凸起脊上的接觸部，與所述p摻雜材料和所述n摻雜材料電接觸；并且

經(jīng)由所述半導(dǎo)體波導(dǎo)的周期性設(shè)置的部分從所述接觸部中的一個接觸部與所述肋部電接觸，其中，所述周期性設(shè)置的部分中的所述肋部和所述平板部兩者的橫截面大部分是n摻雜的且具有未摻雜部分或者大部分是p摻雜的且具有未摻雜部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中，所述肋部沿著所述半導(dǎo)體波導(dǎo)的整個長度是完全n摻雜的或完全p摻雜的。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中，所述肋部沿著所述半導(dǎo)體波導(dǎo)的整個長度在完全p摻雜或完全n摻雜部分之間交替。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中，所述平板部沿著所述半導(dǎo)體波導(dǎo)的整個長度在完全p摻雜和未摻雜部分或完全n摻雜部分和未摻雜部分之間交替。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中，除了周期性設(shè)置的部分之外，所述平板部沿著所述半導(dǎo)體波導(dǎo)的整個長度是未摻雜的。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中，所述凸起脊通過溝槽與所述肋部分離。

14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中，在所述肋部下方的所述平板部中的p摻雜材料比p摻雜的平板部中的其他地方摻雜的p型更少，其中，所述肋部是n摻雜的。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中，所述半導(dǎo)體波導(dǎo)包括光調(diào)制器的第一相位調(diào)制部分。