[發(fā)明專利]半導體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780060901.1
• 申請日: 2017-10-10
• 公開（公告）號: CN109791950A
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發(fā)明（設計）人: 遠藤佑太;澤井寬美;木村肇
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L27/105;H01L27/108;H01L29/417;H01L29/788;H01L29/792
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 賈成功

1.一種半導體裝置，包括：

第一氧化物；

源電極；

漏電極；

所述第一氧化物、所述源電極及所述漏電極上的第二氧化物；

所述第二氧化物上的柵極絕緣膜；以及

所述柵極絕緣膜上的柵電極，

其中，所述源電極與所述第一氧化物電連接，

所述漏電極與所述第一氧化物電連接，

所述第一氧化物和所述第二氧化物各自包含In、元素M及Zn，

所述元素M是Al、Ga、Y或Sn，

所述第一氧化物的所述In、所述Zn及所述元素M的原子個數(shù)比和所述第二氧化物的所述In、所述Zn及所述元素M的原子個數(shù)比相等或近似，

并且，在所述第一氧化物及所述第二氧化物的每一個中，所述In的原子比例比所述元素M的原子比例高。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，

其中所述第一氧化物的電子親和勢和所述第二氧化物的電子親和勢的差異為0eV以上且0.15eV以下。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，

其中所述第二氧化物與所述源電極電連接。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，還包括所述第二氧化物和所述柵極絕緣膜之間的第三氧化物，

其中所述第三氧化物包含In、所述元素M及Zn，

并且在所述第三氧化物中，所述In的原子比例比所述元素M的原子比例高。

5.根據(jù)權利要求4所述的半導體裝置，

其中所述第一氧化物的電子親和勢和所述第二氧化物的電子親和勢的差異為0eV以上且0.15eV以下，

所述第三氧化物的電子親和勢小于所述第二氧化物的所述電子親和勢，

并且所述第三氧化物的所述電子親和勢和所述第二氧化物的所述電子親和勢的差異為0.2eV以上且0.4eV以下。

6.一種模塊，包括：

權利要求1所述的半導體裝置；以及

印刷電路板。

7.一種電子設備，包括：

權利要求6所述的模塊；以及

揚聲器或操作鍵。

8.一種半導體晶片，包括：

權利要求1所述的半導體裝置；以及

切割用區(qū)域。

9.一種半導體裝置，包括：

第一氧化物；

所述第一氧化物上的第二氧化物；

源電極；

漏電極；

所述第二氧化物、所述源電極及所述漏電極上的第三氧化物；

所述第三氧化物上的柵極絕緣膜；以及

所述柵極絕緣膜上的柵電極，

其中，所述源電極與所述第二氧化物電連接，

所述漏電極與所述第二氧化物電連接，

所述第一氧化物、所述第二氧化物和所述第三氧化物各自包含In、元素M及Zn，

所述元素M是Al、Ga、Y或Sn，

所述第二氧化物的所述In、所述Zn及所述元素M的原子個數(shù)比和所述第三氧化物的所述In、所述Zn及所述元素M的原子個數(shù)比相等或近似，

并且，在所述第二氧化物及所述第三氧化物的每一個中，所述In的原子比例比所述元素M的原子比例高。

10.根據(jù)權利要求9所述的半導體裝置，

其中所述第二氧化物的電子親和勢和所述第三氧化物的電子親和勢的差異為0eV以上且0.15eV以下。

11.根據(jù)權利要求9所述的半導體裝置，

其中所述第三氧化物與所述源電極電連接。

12.根據(jù)權利要求9所述的半導體裝置，還包括：

所述第三氧化物和所述柵極絕緣膜之間的第四氧化物；

其中所述第四氧化物包含In、所述元素M及Zn，

并且在所述第四氧化物中，所述元素M的原子比例比所述In的原子比例高。