[發明專利]研磨液組合物

有效

• 申請號: 201780060793.8
• 申請日: 2017-09-28
• 公開（公告）號: CN109831914B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 土居陽彥;大山翼
• 申請（專利權）人: 花王株式會社
• 主分類號: C09K3/14
• 分類號: C09K3/14;H01L21/3105;B24B37/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王永紅

1.一種研磨液組合物，其含有氧化鈰粒子A、寡糖B及水，

所述寡糖B是包含經3個以上且5個以下的葡萄糖鍵合而成的糖，且經8個以上的葡萄糖鍵合而成的糖的含量為27質量％以下的寡糖。

2.根據權利要求1所述的研磨液組合物，其中，寡糖B的結構單元僅為葡萄糖。

3.根據權利要求1或2所述的研磨液組合物，其用于氧化硅膜的研磨。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的研磨液組合物，其中，寡糖B是選自龍膽寡糖、異麥芽寡糖、麥芽寡糖及黑曲霉寡糖中的至少1種。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的研磨液組合物，其中，寡糖B的含量為0.1質量％以上且2.5質量％以下。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的研磨液組合物，其中，寡糖B的含量相對于氧化鈰粒子A的含量之比B/A為0.01以上且20以下。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的研磨液組合物，其還含有：具有陰離子性基團的化合物C。

8.根據權利要求7所述的研磨液組合物，其中，化合物C為一元羧酸。

9.根據權利要求8所述的研磨液組合物，其中，化合物C是選自乙酰丙酸、丙酸、香草酸、對羥基苯甲酸及甲酸中的至少1種。

10.根據權利要求1～9中任一項所述的研磨液組合物，其pH值為4.0以上且小于9.0。

11.根據權利要求1～10中任一項所述的研磨液組合物，其由粒子A混合在水中而成的第一液體以及寡糖B混合在水中而成的第二液體構成，在使用時將第一液體與第二液體進行混合。

12.一種半導體基板的制造方法，其包括：使用權利要求1～11中任一項所述的研磨液組合物研磨被研磨基板的步驟。

13.一種基板的研磨方法，其包括：使用權利要求1～11中任一項所述的研磨液組合物研磨被研磨基板的步驟，所述被研磨基板是用于制造半導體基板的基板。

14.權利要求1～11中任一項所述的研磨液組合物的用于制造半導體基板的用途。