[發(fā)明專利]具有三個晶體管和兩個電阻式存儲器元件的電阻式隨機(jī)存取存儲器單元有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780060161.1 | 申請日： | 2017-05-09 |
| 公開（公告）號： | CN110050305B | 公開（公告）日： | 2021-05-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | J·L·麥科勒姆;V·赫克特 | 申請（專利權(quán)）人： | 美高森美SOC公司 |
| 主分類號： | G11C13/00 | 分類號： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 楊麗;陳斌 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 三個 晶體管 兩個 電阻 存儲器 元件 隨機(jī)存取存儲器 單元 | ||
1.一種低漏電阻式隨機(jī)存取存儲器(ReRAM)單元，包括：
一對互補(bǔ)位線；
開關(guān)節(jié)點(diǎn)；
第一ReRAM設(shè)備，所述第一ReRAM設(shè)備具有連接到所述互補(bǔ)位線中的第一個互補(bǔ)位線的第一端；
p溝道晶體管，所述p溝道晶體管具有連接到所述第一ReRAM設(shè)備的第二端的源極、連接到所述開關(guān)節(jié)點(diǎn)的漏極和連接到p字線的柵極；
第二ReRAM設(shè)備，所述第二ReRAM設(shè)備具有連接到所述位線中的第二個位線的第一端；
n溝道晶體管，所述n溝道晶體管具有連接到所述第二ReRAM設(shè)備的第二端的源極、連接到所述開關(guān)節(jié)點(diǎn)的漏極和連接到n字線的柵極；以及
n溝道編程晶體管，所述n溝道編程晶體管具有連接到所述第二ReRAM設(shè)備的第二端的源極、連接到所述開關(guān)節(jié)點(diǎn)的漏極、以及連接到字線的柵極；
其中所述n溝道晶體管具有第一閾值電壓并且所述n溝道編程晶體管具有高于所述第一閾值電壓的第二閾值電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ReRAM單元，還包括開關(guān)晶體管，所述開關(guān)晶體管具有連接到所述開關(guān)節(jié)點(diǎn)的柵極、連接到第一可編程節(jié)點(diǎn)的源極和連接到第二可編程節(jié)點(diǎn)的漏極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ReRAM單元，其中所述第一ReRAM設(shè)備和所述第二ReRAM設(shè)備形成在集成電路中的下金屬互連線和上金屬互連線之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的ReRAM單元，其中所述下金屬互連線是第一金屬互連線，并且所述上金屬互連線是第二金屬互連線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲器(ReRAM)單元，其中所述n溝道晶體管具有約0.1V的第一閾值電壓，并且所述n溝道編程晶體管具有約0.3V的第二閾值電壓。
6.一種具有至少一行和至少一列的低漏ReRAM單元陣列，所述陣列包括：
第一位線和第二位線，所述第一位線和所述第二位線用于所述陣列中的每一行；
源極位線，所述源極位線用于所述陣列中的每一行；
字線，所述字線用于所述陣列中的每一列；
p溝道字線，所述p溝道字線用于所述陣列中的每一列；
低漏ReRAM單元，所述低漏ReRAM單元位于所述陣列中的每一行和每一列，每個低漏ReRAM單元包括：
開關(guān)節(jié)點(diǎn)；
第一ReRAM設(shè)備，所述第一ReRAM設(shè)備具有連接到所述第一ReRAM設(shè)備的行中的所述第一位線的第一端；
n溝道編程晶體管，所述n溝道編程晶體管具有連接到所述第一ReRAM設(shè)備的行中的所述源極位線的源極、連接到所述開關(guān)節(jié)點(diǎn)的漏極、以及連接到所述第一ReRAM設(shè)備的列中的所述字線的柵極；
p溝道晶體管，所述p溝道晶體管具有連接到所述第一ReRAM設(shè)備的第二端的源極、連接到所述開關(guān)節(jié)點(diǎn)的漏極和連接到所述第一ReRAM設(shè)備的列中的所述p溝道字線的柵極；
第二ReRAM設(shè)備，所述第二ReRAM設(shè)備具有連接到所述第二ReRAM設(shè)備的行中的所述第二位線的第一端；和
n溝道晶體管，所述n溝道晶體管具有連接到所述第二ReRAM設(shè)備的第二端的源極、連接到所述開關(guān)節(jié)點(diǎn)的漏極和連接到所述第二ReRAM設(shè)備的列中的所述字線的柵極；
其中所述n溝道編程晶體管和所述n溝道晶體管各自具有不同的閾值，所述n溝道晶體管的閾值低于所述n溝道編程晶體管的閾值。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列，其中每一個n溝道晶體管具有約0.1V的第一閾值電壓，并且每一個n溝道編程晶體管具有約0.3V的第二閾值電壓。
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