[發(fā)明專利]用于選擇性沉積的選擇性改良的原位預(yù)清潔

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780058629.3
• 申請(qǐng)日: 2017-09-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109983155A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳凱;維卡什·班西埃;柳尚澔;張鎂;馬飛躍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號(hào): C23C16/04
• 分類號(hào): C23C16/04;C23C16/02;C23C16/14
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó);趙靜

1.一種選擇性地沉積膜的方法，所述方法包括以下步驟：

提供基板，所述基板具有第一表面和與所述第一表面不同的第二表面；

將所述基板暴露于預(yù)清潔等離子體，所述預(yù)清潔等離子體包括氬氣或氫氣之一或更多者，以形成已預(yù)清潔基板；和

于所述已預(yù)清潔基板的相對(duì)于所述第二表面的所述第一表面上選擇性地沉積金屬膜。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中實(shí)質(zhì)上沒(méi)有所述金屬膜沉積于所述第二表面上。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一表面和所述第二表面為實(shí)質(zhì)上共面的。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中對(duì)所提供的所述基板先前已進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化工藝。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在不暴露于空氣的情況下對(duì)所述基板已進(jìn)行先前的工藝。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中在相同的處理腔室內(nèi)對(duì)所述基板已進(jìn)行先前的工藝。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一表面為金屬表面且所述第二表面為介電表面。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述金屬表面包括鈷、銅、鎢或釕之一或更多者。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述預(yù)清潔等離子體從所述金屬移除氧化物。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述金屬膜包括鎢、鈷或銅之一或更多者。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述金屬膜具有大于或等于約50:1的選擇性。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述預(yù)清潔等離子體具有在約10毫托至約1托的范圍內(nèi)的壓力。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中于約室溫的溫度下將所述預(yù)清潔等離子體暴露于所述基板。

14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述預(yù)清潔等離子體基本上由氬氣所組成。

15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述預(yù)清潔等離子體基本上由氫氣所組成。