[發明專利]用于生產高分散二氧化硅的方法在審
| 申請號： | 201780058455.0 | 申請日： | 2017-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN109715557A | 公開（公告）日： | 2019-05-03 |
| 發明（設計）人： | M·索芬 | 申請（專利權）人： | 瓦克化學股份公司 |
| 主分類號： | C01B33/18 | 分類號： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 過曉東 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 德國;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅化合物 混合物 微粒二氧化硅 含氧源 摩爾比 生產 分離所得固體 供應燃料氣體 熱解二氧化硅 二氧化硅 反應空間 火焰反應 燃料氣體 質量產品 高分散 測量 點燃 引入 主流 | ||
1.一種用于生產微粒二氧化硅的方法，其包括：
-使用至少兩種硅化合物的混合物作為Si源，
至少一種硅化合物含碳，
且至少一種硅化合物不含碳，
-供應燃料氣體，
-供應含氧源，
-含有所述硅化合物、所述燃料氣體和所述含氧源的該混合物的C/Si摩爾比為10/BET至35/BET，并且
該混合物的H/Cl摩爾比為0.45+(BET/600)至0.95+(BET/600)，
其中BET是通過BET方法(對應于DIN ISO 9277)測量的生產中的熱解二氧化硅的比表面積，
-將該混合物作為主流引入反應空間中，并且將其點燃并使其反應，和
-分離所得固體。
2.根據權利要求1所述的方法，其中所用的所述含碳硅化合物包括甲基三氯硅烷(MTCS)、甲基二氯硅烷(MDCS)、或MTCS和MDCS的混合物。
3.根據權利要求1或2中一項或多項所述的方法，其中所用的所述不含碳的硅化合物包括四氯化硅(STC)、三氯硅烷(TCS)、二氯硅烷(DCS)或至少兩種所述化合物的混合物。
4.根據權利要求1至3中一項或多項所述的方法，其中所用的所述Si源包括至少三種硅化合物的混合物。
5.根據權利要求1至4中一項或多項所述的方法，其中所用的所述Si源包括包含四氯化硅、三氯硅烷、二氯硅烷和甲基三氯硅烷的混合物。
6.根據權利要求1至5中一項或多項所述的方法，其中所用的所述燃料氣體包括氫氣。
7.根據權利要求1至6中一項或多項所述的方法，其中所用的所述含氧源包括空氣。
8.根據權利要求1至7中一項或多項所述的方法，其中所述火焰被二次氣體包圍。
9.根據權利要求8所述的方法，其中所用的所述二次氣體包括空氣。
10.根據權利要求8或9中一項或多項所述的方法，其中二次氣體與主流的體積比為0.01至0.4。
11.根據權利要求8至10中一項或多項所述的方法，其中所述二次氣體和所述主流的流速比為0.1至0.8。
12.根據權利要求8至11中一項或多項所述的方法，其中引入所述反應空間中的所述二次氣體已被加熱至所述主流的溫度。
13.根據權利要求1至12中一項或多項所述的方法，其中用熱氣體處理所得的分離固體。
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