[發明專利]將襯底及設置在其上的層圖案化以及形成器件結構的方法

有效

• 申請號: 201780058139.3
• 申請日: 2017-09-11
• 公開（公告）號: CN109791874B
• 公開（公告）日: 2022-11-29
• 發明（設計）人: 絲特芬·R·舍曼;約翰·哈塔拉;賽門·羅芙爾
• 申請（專利權）人: 瓦里安半導體設備公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F1/36;G03F7/20;H01L21/3065
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊貝貝;臧建明

1.一種將襯底圖案化的方法，包括：

在層內以交錯配置形式提供第一表面特征及第二表面特征，所述層設置在所述襯底上；以及

在含有反應性物質的反應性氣氛的存在下，在第一曝光中將第一離子引導至所述第一表面特征的第一側及所述第二表面特征的第一側，

其中所述第一曝光蝕刻所述第一表面特征的所述第一側及所述第二表面特征的所述第一側，其中在所述引導之后，所述第一表面特征與所述第二表面特征合并形成第三表面特征。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第三表面特征具有由以下中的一者表征的形狀：L形狀、大寫字母T形狀、小寫字母t形狀、之字形狀、及階梯形狀。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述第三表面特征是所述層內的凹陷部。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底包括襯底平面，其中相對于所述第二表面特征的至少一個端部，所述第一表面特征的至少一個端部沿第一軸線偏置。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述襯底包括襯底平面，其中所述第一表面特征的所述第一側及所述第二表面特征的所述第一側平行于所述第一軸線延伸。

6.根據權利要求4所述的方法，其中所述第一離子包括離子軌跡，其中所述離子軌跡在所述襯底平面內的投影平行于所述襯底平面內的第二軸線，所述第二軸線垂直于所述第一軸線。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底包含第一材料，且其中所述層包含第二材料，其中所述離子及所述反應性物質相對于所述襯底的所述第一材料而言選擇性地蝕刻所述層的所述第二材料，其中所述第一材料的第一蝕刻速率大于所述第二材料的第二蝕刻速率。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底包括襯底平面，所述方法進一步包括：

以所述襯底平面的垂線為中心將所述襯底旋轉180度；以及

在含有所述反應性物質的所述反應性氣氛的存在下，在第二曝光中將第二離子引導至所述第一表面特征的第二側及所述第二表面特征的第二側，

其中所述第一曝光與所述第二曝光的組合形成所述第三表面特征。

9.一種將設置在襯底上的層圖案化的方法，包括：

以交錯配置形式在所述層內提供第一表面特征及第二表面特征；以及

使所述第一表面特征及所述第二表面特征經歷曝光，所述曝光包括：

在含有反應性物質的反應性氣氛的存在下，將第一離子引導至所述第一表面特征的第一側及所述第二表面特征的第一側；以及

同時將第二離子引導至所述第一表面特征的第二側及所述第二表面特征的第二側，

其中所述曝光蝕刻所述第一表面特征的所述第一側及所述第二表面特征的所述第一側，并蝕刻所述第一表面特征的所述第二側及所述第二表面特征的所述第二側，

其中在所述引導之后，所述第一表面特征與所述第二表面特征合并形成第三表面特征。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述襯底包括襯底平面，其中相對于所述第二表面特征的至少一個端部，所述第一表面特征的至少一個端部沿第一軸線偏置。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述襯底包括襯底平面，其中所述第一表面特征的所述第一側及所述第二側以及所述第二表面特征的所述第一側及所述第二側平行于所述第一軸線延伸。

12.根據權利要求10所述的方法，其中所述第一離子形成第一帶狀束且所述第二離子形成第二帶狀束，所述第一離子及所述第二離子具有與所述第一軸線平行的長軸。

13.根據權利要求12所述的方法，其中進一步包括在所述曝光期間沿第二軸線掃描所述襯底，所述第二軸線垂直于所述第一軸線延伸。