[發(fā)明專利]襯底處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780057738.3 | 申請日: | 2017-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN109791884B | 公開(公告)日: | 2023-05-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鈴木達大;德利憲太郎;西村高志;結(jié)城嘉曉;玉置康人;宮路信行;平下友美;內(nèi)田博章;奧谷洋介 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 楊宏軍;唐崢 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 處理 裝置 | ||
1.襯底處理裝置,其具備:
襯底保持部,其水平地保持襯底;
處理液供給部,其向被保持于所述襯底保持部的所述襯底供給處理液;
受液部,其圍繞所述襯底保持部的周圍,并接收從所述襯底飛散的所述處理液;和
襯底旋轉(zhuǎn)部,其以穿過被保持于所述襯底保持部的所述襯底的中心且沿鉛垂方向延伸的旋轉(zhuǎn)軸為中心而使所述襯底旋轉(zhuǎn),
其中,所述受液部的內(nèi)周面具有在被保持于所述襯底保持部的所述襯底側(cè)露出的多個槽,所述多個槽各自的延伸方向包含鉛垂方向的分量,
在周向上,所述內(nèi)周面交替地具有相對于基準面凹陷的所述多個槽、和位于相鄰的槽間且沿著所述基準面的多個堤部,
沿著所述基準面的各槽的第1長度比沿著所述基準面的各堤部的第2長度長。
2.如權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置,其中,所述延伸方向是由所述襯底的旋轉(zhuǎn)方向的分量與鉛垂向下的分量合成的方向。
3.如權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置,其中,所述多個槽包含相對于所述襯底的徑向而向所述襯底的旋轉(zhuǎn)方向傾斜的該旋轉(zhuǎn)方向上的下游側(cè)部分比上游側(cè)部分凹陷得更深的槽。
4.如權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置,其中,所述內(nèi)周面至少在與被保持于所述襯底保持部的所述襯底相同的鉛垂方向的位置包含所述多個槽。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的襯底處理裝置,其中,所述受液部具有從內(nèi)側(cè)杯部至外側(cè)杯部的多個杯部,所述內(nèi)側(cè)杯部的直徑相對小且在接近所述襯底的位置處圍繞所述襯底保持部的周圍,所述外側(cè)杯部的直徑相對大且在遠離所述襯底的位置處圍繞所述襯底保持部的周圍,
至少所述內(nèi)側(cè)杯部的內(nèi)周面包含所述多個槽。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





