[發明專利]用于非易失性存儲器設備操作的方法、系統和設備

有效

• 申請號: 201780057718.6
• 申請日: 2017-10-25
• 公開（公告）號: CN109716438B
• 公開（公告）日: 2023-07-11
• 發明（設計）人: 格倫·阿諾德·羅森代爾
• 申請（專利權）人: ARM有限公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 林強

1.一種用于非易失性存儲器裝置操作的設備，包括：

第一非易失性存儲器元件，包括耦合到第一節點的第一端子，并包括第二端子；和

第一電阻性路徑，在讀操作中將所述非易失性存儲器元件的第二端子耦合到第二節點，以在所述非易失性存儲器元件的第一端子和第二端子之間施加第一電壓；

第一導電元件，用于在第一寫操作中通過第二電阻性路徑選擇性地將所述第一非易失性存儲器元件的第二端子耦合到所述第二節點，以在所述第一端子和所述第二端子之間施加至少第二電壓，

第二導電元件，用于在第二寫操作中通過第三電阻性路徑選擇性地將所述第一非易失性存儲器元件的第二端子耦合到所述第二節點，以在所述第一端子和所述第二端子之間施加至少第三電壓，

其中所述第二電壓將所述非易失性存儲器元件置于第一阻抗狀態，并且所述第三電壓將所述非易失性存儲器元件置于第二阻抗狀態。

2.根據權利要求1所述的設備，其中，所述第二電阻性路徑包括所述第一電阻性路徑以及處于閉合狀態并與所述第一電阻性路徑的至少一部分并聯耦合的所述第一導電元件，以使所述第一非易失性存儲器元件中具有足夠的電流密度，以將所述第一非易失性存儲器元件置于所述第一阻抗狀態，并且其中，所述第一導電元件在所述讀操作期間處于開路狀態。

3.根據權利要求2所述的設備，其中所述第一電阻性路徑包括串聯的二極管耦合的場效應晶體管(FET)，并且其中所述第二導電元件包括與所述二極管耦合的FET中的至少一者并聯耦合的FET。

4.根據權利要求1所述的設備，其中所述第二電阻性路徑向所述第一非易失性存儲器元件施加第一編程信號，并且所述第三電阻性路徑向所述第一非易失性存儲器元件施加第二編程信號，其中所述第一編程信號包括第一編程信號電壓和第一編程信號電流，并且其中所述第二編程信號包括第二編程信號電壓和第二編程信號電流，其中所述第一編程信號電流的大小大于所述第二編程信號電流的大小，并且其中所述第二編程信號電壓的大小大于所述第一編程信號電壓的大小。

5.根據權利要求1所述的設備，還包括：

第二非易失性存儲器元件，包括耦合到所述第二節點的第一端子，并且包括第二端子；

第四電阻性路徑，在所述讀操作中將該非易失性存儲器元件的第二端子耦合到所述第一節點，以在該非易失性存儲器元件的第一端子和第二端子之間施加第四電壓；

第三導電元件，用于在所述第一寫操作中通過第五電阻性路徑選擇性地將所述第二非易失性存儲器元件的第二端子耦合到所述第一節點，以在所述第二非易失性存儲器元件的第一端子和第二端子之間施加至少第五電壓，以及

第四導電元件，用于在所述第二寫操作中通過第六電阻性路徑選擇性地將所述第二非易失性存儲器元件的第二端子耦合到所述第一節點，以在所述第二非易失性存儲器元件的第一端子和第二端子之間施加第六電壓。

6.根據權利要求5所述的設備，還包括：

輸出端子；和

一個或多個導電元件，用于至少部分地基于所述第一非易失性存儲器元件的阻抗狀態或所述第二非易失性存儲器元件的阻抗狀態或這二者的阻抗狀態，將所述輸出端子耦合到所述第一節點或所述第二節點。

7.根據權利要求5或6所述的設備，其中如果所述第一非易失性存儲器元件處于高阻抗或絕緣狀態并且所述第二非易失性存儲器元件處于低阻抗或導電狀態，則所述第一非易失性存儲器元件和所述第二非易失性存儲器元件的阻抗狀態表示第一符號、值、表達、條件或參數，如果所述第一非易失性存儲器元件處于低阻抗或導電狀態并且所述第二非易失性存儲器元件處于高阻抗或絕緣狀態，則所述第一非易失性存儲器元件和所述第二非易失性存儲器元件的阻抗狀態表示第二符號、值、表達、條件或參數。

8.根據權利要求1所述的設備，其中所述第一非易失性存儲器元件包括相關電子開關(CES)元件。

9.根據權利要求1所述的設備，其中所述第一非易失性存儲器元件包括相關電子隨機存取存儲器元件。