[發明專利]SiC單晶生長用坩堝在審
| 申請號： | 201780057604.1 | 申請日： | 2017-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN109715868A | 公開（公告）日： | 2019-05-03 |
| 發明（設計）人： | 野口駿介;大矢信之 | 申請（專利權）人： | 昭和電工株式會社 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C01B32/956;C30B23/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 劉航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 坩堝 單晶 單晶生長 透氣度 包圍 升華法 相反側 部側 | ||
【權利要求書】：
1.一種SiC單晶生長用坩堝，是在內部具有單晶設置部和原料設置部、且用于采用升華法得到SiC單晶的坩堝，
所述坩堝的第1壁的透氣度低于所述坩堝的第2壁的透氣度，所述坩堝的第1壁包圍第1區域的至少一部分，所述坩堝的第2壁包圍第2區域的至少一部分，所述第1區域是以所述單晶設置部為基準而位于所述原料設置部側的區域，所述第2區域是以所述單晶設置部為基準而位于與所述原料設置部相反側的區域。
2.根據權利要求1所述的SiC單晶生長用坩堝，
所述第1壁的透氣度為所述第2壁的透氣度的90％以下。
3.根據權利要求1或2所述的SiC單晶生長用坩堝，
所述第1壁的一部分具有氣體隔斷構件。
4.根據權利要求3所述的SiC單晶生長用坩堝，
所述氣體隔斷構件設置于所述第1壁的內部或外周。
5.根據權利要求3或4所述的SiC單晶生長用坩堝，
所述氣體隔斷構件為金屬、金屬碳化物、玻璃碳中的任一種。
6.根據權利要求1～5的任一項所述的SiC單晶生長用坩堝，
所述第1壁的厚度比所述第2壁的厚度厚。
7.根據權利要求1～6的任一項所述的SiC單晶生長用坩堝，
所述第1壁的密度比所述第2壁的密度高。
8.根據權利要求1～7的任一項所述的SiC單晶生長用坩堝，
將所述第1區域和所述第2區域劃分開的隔壁是直徑從所述單晶設置部朝向所述原料設置部擴大的錐形引導件。
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