[發(fā)明專(zhuān)利]用于非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備操作的方法、系統(tǒng)和設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780057593.7
• 申請(qǐng)日: 2017-10-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109716437B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-06-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 阿齊茲·詹尼丁·巴夫納加瓦拉;皮尤什·阿加瓦爾;阿克舍·庫(kù)馬爾
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: ARM有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C13/00
• 分類(lèi)號(hào): G11C13/00;G11C11/16
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 林強(qiáng)

1.一種用于非易失性存儲(chǔ)器操作的設(shè)備，包括：

用于產(chǎn)生參考電流的電路；

用于產(chǎn)生將在讀操作中施加到非易失性存儲(chǔ)器元件的端子的讀電壓的電路，所述非易失性存儲(chǔ)器元件能夠響應(yīng)于編程信號(hào)施加到所述非易失性存儲(chǔ)器元件的端子而被置于高阻抗?fàn)顟B(tài)；

用于將來(lái)自耦合到所述非易失性存儲(chǔ)器元件的位線(xiàn)的信號(hào)電流與節(jié)點(diǎn)處的所述參考電流進(jìn)行組合的電路；

用于至少部分地基于所述節(jié)點(diǎn)處的凈電荷來(lái)在所述讀操作期間檢測(cè)所述非易失性存儲(chǔ)器元件的阻抗?fàn)顟B(tài)的電路；以及

一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電元件，被配置為在所述讀操作期間限制所述非易失性存儲(chǔ)器元件中的電流密度，同時(shí)抑制所述非易失性存儲(chǔ)器元件從低阻抗?fàn)顟B(tài)向所述高阻抗?fàn)顟B(tài)的轉(zhuǎn)變。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述非易失性存儲(chǔ)器元件包括相關(guān)電子開(kāi)關(guān)(CES)元件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，用于產(chǎn)生所述參考電流的電路還包括：用于在預(yù)充電階段中向所述位線(xiàn)源供電荷的電路。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，用于產(chǎn)生所述參考電流的電路還包括：用于在預(yù)充電階段中從所述位線(xiàn)吸收電荷的電路。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，用于產(chǎn)生所述參考電流的電路還包括：

用于在針對(duì)第一讀操作的預(yù)充電階段中向所述位線(xiàn)源供電荷的電路；和

用于在針對(duì)第二讀操作的預(yù)充電階段中從所述位線(xiàn)吸收電荷的電路。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中，所述第一讀操作中的所述非易失性存儲(chǔ)器元件中的電流包括第一極性，并且所述第二讀操作中的所述非易失性存儲(chǔ)器元件中的電流包括與所述第一極性相反的第二極性。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備還包括：

第一和第二交叉耦合晶體管，具有響應(yīng)于所述參考電流和所述位線(xiàn)上的電流之間的差異的狀態(tài)；以及

輸出電路，用于響應(yīng)于所述第一和第二交叉耦合晶體管的狀態(tài)而提供輸出信號(hào)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，還包括一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電元件，用于在讀操作期間限制所述信號(hào)電流。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中用于檢測(cè)所述非易失性存儲(chǔ)器元件的阻抗?fàn)顟B(tài)的電路還包括：一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電元件，用于響應(yīng)于所述信號(hào)電流超過(guò)所述參考電流而選擇性地將所述位線(xiàn)耦合到源電壓并且響應(yīng)于所述信號(hào)電流不超過(guò)所述參考電流而選擇性地將所述位線(xiàn)與所述源電壓斷開(kāi)連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中用于檢測(cè)所述非易失性存儲(chǔ)器元件的阻抗?fàn)顟B(tài)的電路還包括：一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電元件，用于響應(yīng)于所述信號(hào)電流不超過(guò)所述參考電流而選擇性地將所述位線(xiàn)耦合到電壓源并且響應(yīng)于所述信號(hào)電流超過(guò)所述參考電流而選擇性地將所述位線(xiàn)與所述電壓源斷開(kāi)連接。

11.一種操作存儲(chǔ)器設(shè)備的方法，包括：

產(chǎn)生參考電流；以及

將讀電壓施加到非易失性存儲(chǔ)器元件的端子，所述非易失性存儲(chǔ)器元件能夠響應(yīng)于編程信號(hào)施加到所述非易失性存儲(chǔ)器元件的端子而被置于高阻抗?fàn)顟B(tài)；

在將所述讀電壓施加到所述非易失性存儲(chǔ)器元件的端子期間，將來(lái)自耦合到所述非易失性存儲(chǔ)器元件的位線(xiàn)的信號(hào)電流與節(jié)點(diǎn)處的所述參考電流進(jìn)行組合；

在將所述讀電壓施加到所述非易失性存儲(chǔ)器元件的端子期間限制所述非易失性存儲(chǔ)器元件中的電流密度，同時(shí)抑制所述非易失性存儲(chǔ)器元件從低阻抗?fàn)顟B(tài)向所述高阻抗?fàn)顟B(tài)的轉(zhuǎn)變；以及

至少部分地基于所述節(jié)點(diǎn)處的凈電荷來(lái)檢測(cè)所述非易失性存儲(chǔ)器元件的阻抗?fàn)顟B(tài)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括在讀操作的預(yù)充電階段中向所述位線(xiàn)源供電荷。