[發明專利]三氯二硅烷

在審

• 申請號: 201780057569.3
• 申請日: 2017-09-21
• 公開（公告）號: CN109715850A
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: B·K·黃;T·森德蘭;X·周
• 申請（專利權）人: 美國陶氏有機硅公司
• 主分類號: C23C16/34
• 分類號: C23C16/34;C01B33/107;C23C16/455
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 徐舒

1.一種在基底上形成含硅膜的方法，所述方法包括：在存在所述基底的情況下，使包含三氯二硅烷的硅前體的蒸氣經受沉積條件，以便在所述基底上形成含硅膜。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述含硅膜為元素硅膜、硅碳膜、硅氮膜或硅氧膜。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述含硅膜具有比由六氯二硅烷沉積的含硅膜的濕蝕刻速率小的濕蝕刻速率。

4.根據權利要求1所述的方法，包括：在存在所述基底的情況下，使所述硅前體的第一蒸氣和包含氦氣或氫氣的第二蒸氣經受沉積條件，以便在所述基底上形成含硅膜，其中所述含硅膜為元素硅膜。

5.根據權利要求1所述的方法，包括：在存在所述基底的情況下，使所述硅前體的第一蒸氣以及包含碳氫化合物、烴基硅烷或碳氫化合物和烴基硅烷的組合的碳前體的第二蒸氣經受沉積條件，以便在所述基底上形成含硅膜，其中所述含硅膜為硅碳膜。

6.根據權利要求1所述的方法，包括：在存在所述基底的情況下，使所述硅前體的第一蒸氣以及包含分子氮、氨、胺、肼或它們中的任意兩者或三者的組合的氮前體的第二蒸氣經受沉積條件，以便在所述基底上形成含硅膜，其中所述含硅膜為硅氮膜。

7.根據權利要求1所述的方法，包括：在存在所述基底的情況下，使所述硅前體的第一蒸氣以及包含分子氧、臭氧、一氧化二氮、二氧化氮、水、過氧化氫或它們中的任意兩者或三者的組合的氧前體的第二蒸氣經受沉積條件，以便在所述基底上形成含硅膜，其中所述含硅膜為硅氧膜。

8.根據權利要求3至7中任一項所述的方法，其中加熱所述基底并且將所述基底置于被構造成用于原子層沉積的沉積反應器中；所述方法包括：重復進料所述包含三氯二硅烷的硅前體的第一蒸氣，用惰性氣體吹掃，將所述第二蒸氣進料到所述沉積反應器中，并用惰性氣體吹掃，以便利用原子層沉積在所述加熱的基底上形成所述含硅膜；其中所述原子層沉積包括等離子體增強原子層沉積或熱原子層沉積，并且其中所述進料可以相同或不同。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述原子層沉積為等離子體增強原子層沉積，并且其中所述等離子體為氮氣或氬氣中的氨等離子體、合成氣體等離子體、氮等離子體或氧等離子體。

10.根據權利要求3至7中任一項所述的方法，其中加熱所述基底并且將所述基底置于被構造成用于化學氣相沉積的沉積反應器中；所述方法包括：進料所述硅前體的第一蒸氣，并且將所述第二蒸氣進料到所述沉積反應器中，以便利用化學氣相沉積在所述加熱的基底上形成所述含硅膜；其中所述進料可以相同或不同。

11.根據權利要求7所述的方法，其中所述第一蒸氣和所述第二蒸氣不含碳和氧，所述硅氮膜包括氮化硅膜。

12.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述基底為半導體材料。

13.一種用于形成硅氮膜的組合物，所述組合物包含含有三氯二硅烷的硅前體和氮前體。

14.根據權利要求13所述的組合物在形成硅氮膜的方法中的用途。

15.根據權利要求1至13所述的三氯二硅烷，其為1,1,1-三氯二硅烷。