[發明專利]n型SiC單晶基板及其制造方法以及SiC外延晶片

有效

• 申請號: 201780057496.8
• 申請日: 2017-09-25
• 公開（公告）號: CN109715867B
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 江藤數馬;周防裕政;加藤智久
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B23/06;H01L21/203
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 張軼楠;段承恩

1.一種n型SiC單晶基板，

是施主和受主一起被摻雜進去了的基板，

基板的外周部的施主濃度與受主濃度之差小于中央部的施主濃度與受主濃度之差，并且

所述外周部的施主濃度與受主濃度之差小于3.0×10¹⁹/cm³，

中央部的施主濃度與受主濃度之差，與外周部的施主濃度與受主濃度之差相比，兩者的差比1.0×10¹⁹/cm³大。

2.根據權利要求1所述的n型SiC單晶基板，

外周部的施主濃度與受主濃度之差小于2.0×10¹⁹/cm³。

3.一種SiC外延晶片，

在權利要求1或2所述的n型SiC單晶基板上形成有SiC外延膜。

4.根據權利要求3所述的外延晶片，

所述n型SiC單晶基板的堆垛層錯密度為5cm^-1以下。

5.一種n型SiC單晶基板的制造方法，

是制造權利要求1或2所述的n型SiC單晶基板的方法，

包括晶體生長工序，在該工序中，通過升華再結晶法，在對籽晶的一個面將施主和受主共摻雜進去的同時層疊SiC單晶，

在所述晶體生長工序的至少一部分中將晶體生長面維持為凸形狀。

6.根據權利要求5所述的n型SiC單晶基板的制造方法，

在所述晶體生長工序后，對所層疊的所述SiC單晶進行1000℃以上且2000℃以下的熱負荷工序。

7.根據權利要求5所述的n型SiC單晶基板的制造方法，

所述晶體生長工序為制作SiC單晶錠的工序，

所述制造方法包括：

從所述SiC單晶錠上切片形成基板的工序；

對切下的基板的外周部進行斜切加工的工序；以及

在進行了斜切加工后進行1000℃以上且2000℃以下的熱處理的工序。

8.根據權利要求5所述的n型SiC單晶基板的制造方法，

在所述晶體生長工序中，在籽晶中心部的溫度比籽晶外周部低的環境下進行晶體生長，將晶體生長面維持為凸形狀。

9.根據權利要求5所述的n型SiC單晶基板的制造方法，

在所述晶體生長工序中，在籽晶中心部的溫度比籽晶外周部低的環境下進行晶體生長。