[發(fā)明專利]使用過(guò)氧化氫作為主摻雜劑的共伴氣體或吹掃氣體進(jìn)行原位清潔以盡量減少離子源中的積碳

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780057110.3
• 申請(qǐng)日: 2017-09-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109716479B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尼爾·科爾文;哲-簡(jiǎn)·謝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 艾克塞利斯科技公司
• 主分類號(hào): H01J37/08
• 分類號(hào): H01J37/08;H01J37/317
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 劉新宇;壽寧

1.一種用于改善離子注入性能的離子源組件，所述離子源組件包括：

離子源腔室；

源氣體供應(yīng)源，其配置成向所述離子源腔室提供分子碳源氣體；

源氣體流控制器，其配置成在離子注入期間控制分子碳源氣體流向所述離子源腔室；

激發(fā)源，其配置成激發(fā)所述分子碳源氣體，在其中形成碳離子和原子碳；

引出電極，其配置成從所述離子源腔室中引出所述碳離子，在其中形成離子束；

過(guò)氧化氫共伴氣體供應(yīng)源，其配置成向所述離子源腔室提供預(yù)定濃度的過(guò)氧化氫氣體；

過(guò)氧化氫共伴氣體流控制器，其配置成在非注入期間控制所述過(guò)氧化氫氣體作為吹掃氣體流向所述離子源腔室，其中所述過(guò)氧化氫氣體配置成在所述離子源腔室內(nèi)分解并與來(lái)自所述離子源腔室中的所述分子碳源氣體的所述原子碳反應(yīng)，其中在所述離子源腔室內(nèi)形成碳?xì)浠衔铮灰约?/p>

真空泵系統(tǒng)，其配置成從所述離子源腔室中除去碳?xì)浠衔铮渲校瑴p少所述離子源腔室內(nèi)的原子碳沉積并且延長(zhǎng)所述離子源腔室的使用壽命。

2.如權(quán)利要求1所述的離子源組件，其中，所述分子碳源氣體包括甲苯。

3.如權(quán)利要求1所述的離子源組件，其中，所述分子碳源氣體和所述過(guò)氧化氫氣體依序引入所述離子源腔室。

4.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的離子源組件，其中，所述源氣體流控制器和所述過(guò)氧化氫共伴氣體流控制器為分開(kāi)的控制器。

5.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的離子源組件，其中，所述源氣體流控制器和所述過(guò)氧化氫共伴氣體流控制器為單個(gè)控制器。

6.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的離子源組件，其中，所述分子碳源氣體和所述過(guò)氧化氫氣體通過(guò)分開(kāi)的入口供應(yīng)到所述離子源腔室。

7.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的離子源組件，其中，所述分子碳源氣體和所述過(guò)氧化氫氣體通過(guò)共同的入口供應(yīng)到所述離子源腔室。

8.如權(quán)利要求7所述的離子源組件，其中，所述分子碳源氣體和所述過(guò)氧化氫氣體從單一來(lái)源供應(yīng)到所述離子源腔室。

9.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的離子源組件，其被布置成使得所述過(guò)氧化氫氣體與所述分子碳源氣體反應(yīng)產(chǎn)生碳?xì)浠衔铩⒁谎趸己投趸贾械囊环N或多種。

10.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的離子源組件，進(jìn)一步包括裝置，所述裝置用于將惰性氣體引入所述離子源腔室并使所述惰性氣體離子化，在其中防止所述離子源腔室的陰極表面氧化。

11.如權(quán)利要求10所述的離子源組件，其中，所述惰性氣體包括氬。