[發明專利]在非易失性子陣列中存儲存儲器陣列操作信息

在審

• 申請號: 201780057040.1
• 申請日: 2017-08-28
• 公開（公告）號: CN109791783A
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: C·J·川村;S·J·德爾納;C·L·英戈爾斯
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C11/22
• 分類號: G11C11/22
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本發明描述用于存儲與非易失性陣列的操作相關的操作信息的方法、系統及設備。舉例來說，所述操作信息可存儲在存儲器陣列的子陣列中以用于分析存儲器陣列的所述操作中的錯誤。在一些實例中，陣列驅動器可位于命令解碼器與存儲器陣列之間。所述陣列驅動器可接收用于執行用于存取存儲器陣列的非易失性存儲器單元的存取指令的信號型式，且可根據所述信號型式存取第一組非易失性存儲器單元。所述陣列驅動器還可將所述存取指令(例如，所述存取指令的二進制表示)存儲在所述存儲器陣列的非易失性子陣列處。

交叉參考

本專利申請案主張河村(Kawamura)等人在2016年9月16日提出申請的標題為“在非易失性子陣列中存儲存儲器陣列操作信息”的美國專利申請案第15/267,817號的優先權，所述專利申請案轉讓給本案的受讓人。

背景技術

以下內容大體來說涉及存儲器裝置，且更具體來說涉及在非易失性子陣列中存儲存儲器陣列操作信息。

存儲器裝置廣泛地用于在各種電子裝置(例如計算機、無線通信裝置、相機、數字顯示器等)中存儲信息。信息是通過編程存儲器裝置的不同的狀態來進行存儲。舉例來說，二進制裝置具有兩種狀態，通常由邏輯“1”或邏輯“0”表示。在其它系統中，可存儲多于兩種狀態。為存取存儲信息，電子裝置可讀取或讀出存儲器裝置中所存儲的狀態。為存儲信息，電子裝置可將狀態寫入或編程在存儲器裝置中。

存在各種類型的存儲器裝置，包含隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態RAM(DRAM)、同步動態RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、快閃存儲器等。存儲器裝置可以是易失性的或非易失性。非易失性存儲器(例如，快閃存儲器)可甚至在不存在外部電源時存儲數據達長的時間周期。易失性存儲器裝置(例如，DRAM)除非被外部電源周期性地刷新否則可隨時間而丟失其所存儲的狀態。二進制存儲器裝置可(舉例來說)包含充電或放電電容器。然而，充電電容器可因泄漏電流而隨時間流逝被放電，這會導致所存儲的信息丟失。易失性存儲器的特定特征可提供性能優勢，例如更快的讀取或寫入速度，而非易失性存儲器的特征可具有優勢，例如能夠在無周期性刷新的情況下存儲數據。

FeRAM可使用與易失性存儲器類似的裝置架構，但可由于使用鐵電電容器來作為存儲裝置而具有非易失性性質。因此，與其它非易失性及易失性的存儲器裝置相比，FeRAM裝置可具有改進的性能。存儲器陣列可由于由所述陣列的用戶造成的情況而發生故障，但故障的原因(即，用戶造成的情況)在后續故障排查期間可能是未知的。因此，對有故障的存儲器陣列或存儲器裝置的組件進行故障排查可涉及大量反復地測試對有故障部分以力圖重現、識別及找到(例如，使用邏輯分析器)故障的原因。

附圖說明

本文中的揭示內容參考且包含下圖：

圖1說明根據本發明的各種實施例的支持在非易失性子陣列中存儲操作信息的示范性存儲器陣列；

圖2說明根據本發明的各種實施例的支持在非易失性子陣列中存儲操作信息的示范性電路；

圖3說明根據本發明的各種實施例的支持在非易失性子陣列中存儲操作信息的鐵電存儲器單元的滯后曲線圖的實例；

圖4說明根據本發明的實施例的支持在非易失性子陣列中存儲操作信息的示范性電路。

圖5說明根據本發明的各種實施例的支持在非易失性子陣列中存儲操作信息的實例性鐵電存儲器陣列的框圖；

圖6說明根據本發明的實施例的支持在非易失性子陣列中存儲操作信息的控制器的框圖；

圖7說明根據本發明的各種實施例的支持在非易失性子陣列中存儲操作信息的系統，所述系統包含存儲器陣列；且

圖8到9是圖解說明根據本發明的各種實施例的在非易失性子陣列中存儲操作信息的一或多種方法的流程圖。