[發(fā)明專利]具有改進(jìn)的泄露電流的固體電解電容器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780056907.1
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN109716466B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: J.彼特茨萊克;M.烏赫爾;T.霍菲勒克
• 申請（專利權(quán)）人: 京瓷AVX元器件公司
• 主分類號: H01G9/00
• 分類號: H01G9/00;H01G9/042;H01G9/052
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 詹承斌;宋莉

1.包括電容器元件的電容器組件，電容器元件包括：

燒結(jié)的多孔陽極體；

覆于陽極體之上的電介質(zhì)；

覆于電介質(zhì)之上的預(yù)涂層，其由有機(jī)金屬化合物形成；

覆于預(yù)涂層之上的固體電解質(zhì)，其中固體電解質(zhì)含有內(nèi)層和外層，其中內(nèi)層由原位聚合的導(dǎo)電聚合物形成并且外層由預(yù)聚合的導(dǎo)電聚合物顆粒形成，

其中內(nèi)層在包括過渡金屬陽離子和陰離子的氧化催化劑的存在下形成，

其中在經(jīng)受所施加的電壓90秒后，組件呈現(xiàn)50微安或更低的泄露電流。

2.權(quán)利要求1的電容器組件，其中陽極體包括鉭并且電介質(zhì)包括五氧化鉭。

3.權(quán)利要求1的電容器組件，其中有機(jī)金屬化合物具有以下通式：

其中，

M為金屬原子或硅；

R₁、R₂和R₃獨(dú)立地為烷基或羥烷基，其中R₁、R₂和R₃中的至少一個為羥烷基；

n為0至8的整數(shù)；

X為有機(jī)或無機(jī)官能團(tuán)。

4.權(quán)利要求3的電容器組件，其中M為硅。

5.權(quán)利要求4的電容器組件，其中羥烷基為OCH₃。

6.權(quán)利要求3的電容器組件，其中R₁、R₂和R₃為羥烷基。

7.權(quán)利要求1的電容器組件，其中有機(jī)金屬化合物為3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、3-氨丙基甲基二乙氧基硅烷、3-(2-氨乙基)氨丙基三甲氧基硅烷、3-巰丙基三甲氧基硅烷、3-巰丙基三乙氧基硅烷、3-巰丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巰丙基甲基二乙氧基硅烷、縮水甘油氧基甲基三甲氧基硅烷、縮水甘油氧基甲基三乙氧基硅烷、縮水甘油氧基甲基-三丙氧基硅烷、縮水甘油氧基甲基三丁氧基硅烷、β-縮水甘油氧基乙基三甲氧基硅烷、β-縮水甘油氧基乙基三乙氧基硅烷、β-縮水甘油氧基乙基-三丙氧基硅烷、β-縮水甘油氧基乙基-三丁氧基硅烷、β-縮水甘油氧基乙基三甲氧基硅烷、α-縮水甘油氧基乙基三乙氧基硅烷、α-縮水甘油氧基乙基三丙氧基硅烷、α-縮水甘油氧基乙基三丁氧基硅烷、γ-縮水甘油氧基丙基-三甲氧基硅烷、γ-縮水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-縮水甘油氧基丙基-三丙氧基硅烷、γ-縮水甘油氧基丙基三丁氧基硅烷、β-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、β-縮水甘油氧基丙基-三乙氧基硅烷、β-縮水甘油氧基丙基三丙氧基硅烷、α-縮水甘油氧基丙基三丁氧基硅烷、α-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、α-縮水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷、α-縮水甘油氧基丙基-三丙氧基硅烷、α-縮水甘油氧基丙基三丁氧基硅烷、γ-縮水甘油氧基丁基三甲氧基硅烷、δ-縮水甘油氧基丁基三乙氧基硅烷、δ-縮水甘油氧基丁基三丙氧基硅烷、δ-縮水甘油氧基丁基-三丁氧基硅烷、δ-縮水甘油氧基丁基三甲氧基硅烷、γ-縮水甘油氧基丁基三乙氧基硅烷、γ-縮水甘油氧基丁基三丙氧基硅烷、γ-丙氧基丁基三丁氧基硅烷、δ-縮水甘油氧基丁基-三甲氧基硅烷、δ-縮水甘油氧基丁基三乙氧基硅烷、δ-縮水甘油氧基丁基三丙氧基硅烷、α-縮水甘油氧基丁基三甲氧基硅烷、α-縮水甘油氧基丁基三乙氧基硅烷、α-縮水甘油氧基丁基-三丙氧基硅烷、α-縮水甘油氧基丁基三丁氧基硅烷、或其組合。

8.權(quán)利要求1的電容器組件，其中內(nèi)層通過3,4-亞乙基二氧噻吩用氧化催化劑形成，其中催化劑包括芳族磺酸的鐵(III)鹽。

9.權(quán)利要求1的電容器組件，其中固體電解質(zhì)含有2至30個由原位聚合的導(dǎo)電聚合物形成的內(nèi)層。

10.權(quán)利要求1的電容器組件，其中外層由含有聚合物型抗衡離子和非本征導(dǎo)電聚合物的顆粒的分散體形成，其中非本征導(dǎo)電聚合物為聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)。