[發明專利]基座

有效

• 申請號: 201780056663.7
• 申請日: 2017-09-18
• 公開（公告）號: CN110023537B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 李曉航;李廣輝;哈馬德·S·阿洛泰比
• 申請（專利權）人: 阿卜杜拉國王科技大學;法赫德國王石油礦產大學
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;C23C16/46;C30B25/12
• 代理公司: 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413
• 代理人: 劉晶晶;劉繼富

1.一種化學氣相沉積CVD設備，其包括：

基座裝置，其包括：

適于承載至少一個晶片的水平板；

與所述水平板集成并垂直于所述水平板的垂直桿；

至少部分地包圍所述基座裝置的絕熱結構；

感應線圈；和

反應室，其中所述感應線圈安裝在所述反應室內，

其中，所述基座裝置適于通過所述感應線圈進行感應加熱，

其中，所述感應線圈僅僅沿著所述垂直桿的垂直長度布置，使得所述垂直桿作為所述水平板的主熱源，并且

其中，所述絕熱結構沿所述垂直桿的垂直長度和所述水平板的水平長度設置。

2.根據權利要求1所述的CVD設備，其中所述垂直桿具有螺紋，并且所述絕熱結構的內壁包括相應的螺紋。

3.根據權利要求1所述的CVD設備，其中所述設備還包括噴頭式注入結構。

4.根據權利要求3所述的CVD設備，其中所述水平板包括被配置用于容納一個或更多個晶片的一個或更多個區域，并且所述噴頭式注入結構布置在距離所述一個或更多個晶片的表面小于10mm的位置。

5.根據權利要求1所述的CVD設備，還包括旋轉器，所述旋轉器配置為使所述基座裝置旋轉。

6.根據權利要求1所述的CVD設備，其中所述水平板覆蓋所述感應線圈的整個上表面。

7.根據權利要求1所述的CVD設備，其中所述基座裝置沒有電阻加熱器。

8.根據權利要求1所述的CVD設備，其中所述基座裝置包括與所述水平板集成并垂直于所述水平板的兩個或更多個垂直桿。

9.根據權利要求1所述的CVD設備，其中所述垂直桿的直徑大于所述至少一個晶片的直徑。

10.一種使用權利要求1所述的CVD設備的方法，其中CVD在至少1500℃的基座表面溫度下進行。