[發(fā)明專(zhuān)利]用于防止極低K電介質(zhì)分層的部分金屬填充

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780056517.4
• 申請(qǐng)日: 2017-08-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109716514A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王忠澤;陳國(guó)慶
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 高通股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/522
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/522;H01L23/528
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種電路封裝，包括：

基板；

在所述基板的表面上的電介質(zhì)層；

在所述電介質(zhì)層內(nèi)的多個(gè)金屬層；和

在所述電介質(zhì)層的表面上的超厚金屬UTM導(dǎo)體；其中所述多個(gè)金屬層被配置為多個(gè)金屬焊盤(pán)，并且其中所述UTM導(dǎo)體的占用面積內(nèi)的所述電介質(zhì)層配置有多個(gè)過(guò)孔，所述多個(gè)過(guò)孔將所述多個(gè)金屬焊盤(pán)中的所述金屬層的相鄰的對(duì)之間的個(gè)體金屬焊盤(pán)連接到多個(gè)中斷的過(guò)孔堆疊中，所述多個(gè)中斷的過(guò)孔堆疊不跨超過(guò)所述金屬層中的三層延伸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路封裝，其中所述UTM導(dǎo)體的所述占用面積之外的所述電介質(zhì)層的一部分配置有多個(gè)未中斷的過(guò)孔堆疊，每個(gè)未中斷的過(guò)孔堆疊延伸穿過(guò)所有所述金屬層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路封裝，其中所述電介質(zhì)層是極低k電介質(zhì)層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路封裝，其中所述極低k電介質(zhì)層選自由多孔聚合物材料、氟摻雜的二氧化硅、多孔二氧化硅、多孔碳摻雜的二氧化硅、干凝膠、氣凝膠、特氟龍和F摻雜的無(wú)定形碳構(gòu)成的組。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路封裝，其中所述UTM導(dǎo)體是銅UTM電感器。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路封裝，其中所述電介質(zhì)層的所述部分圍繞所述UTM導(dǎo)體的所述占用面積。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路封裝，其中所述中斷的過(guò)孔堆疊不延伸超過(guò)所述金屬層中的多于兩個(gè)金屬層，并且其中所述金屬焊盤(pán)在每個(gè)金屬層內(nèi)被布置成行和列，并且其中每行中的所述金屬焊盤(pán)以從第一金屬焊盤(pán)到最后的金屬焊盤(pán)的順次順序排列。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路封裝，其中在所述金屬層中的第一金屬層與所述金屬層中的相鄰的第二金屬層之間的所述中斷的過(guò)孔堆疊對(duì)于每行開(kāi)始于所述第一金屬焊盤(pán)以所述順次順序僅耦合到每隔一個(gè)金屬焊盤(pán)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路封裝，其中在所述金屬層中的所述第二金屬層與所述金屬層中的相鄰的第三金屬層之間的所述中斷的過(guò)孔堆疊對(duì)于每行開(kāi)始于所述金屬焊盤(pán)中的在所述第一金屬焊盤(pán)之后的第二金屬焊盤(pán)以所述順次順序僅耦合到每隔一個(gè)金屬焊盤(pán)。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路封裝，其中在所述金屬層中的第一金屬層與所述金屬層中的相鄰的第二金屬層之間的所述中斷的過(guò)孔堆疊耦合到所述第一金屬層中的每個(gè)金屬焊盤(pán)。

11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路封裝，其中每個(gè)中斷的過(guò)孔堆疊跨所述金屬層中的三個(gè)金屬層延伸，并且其中在所述中斷的過(guò)孔堆疊的第一組中的每個(gè)中斷的過(guò)孔堆疊從所述金屬層中的第一金屬層延伸穿過(guò)金屬層中的第三金屬層，并且其中在所述中斷的過(guò)孔堆疊的第二組中的每個(gè)中斷的過(guò)孔堆疊從所述金屬層中的第二金屬層延伸穿過(guò)所述金屬層中的第四金屬層，并且其中在所述第一組中的所述中斷的過(guò)孔堆疊以關(guān)于所述第二組中的所述中斷的過(guò)孔堆疊的圖案交錯(cuò)的圖案布置。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電路封裝，其中在所述第一金屬層中的每個(gè)金屬焊盤(pán)耦合到所述第一組中的所述中斷的過(guò)孔堆疊中的對(duì)應(yīng)的中斷的過(guò)孔堆疊。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電路封裝，其中所述第一金屬層包括未耦合到所述第一組中的所述中斷的過(guò)孔堆疊中的任一個(gè)的金屬焊盤(pán)。

14.一種方法，包括：

在用于待沉積的超厚金屬UTM導(dǎo)體的占用面積內(nèi)，在電介質(zhì)層內(nèi)圖案化多個(gè)金屬層，以包括多個(gè)焊盤(pán)，其中所述多個(gè)金屬層等于至少四個(gè)金屬層；

將所述焊盤(pán)中的個(gè)體焊盤(pán)與沒(méi)有跨不多于所述金屬層中的三層延伸的過(guò)孔連接；以及

將所述UTM導(dǎo)體沉積在所述占用面積內(nèi)的所述電介質(zhì)層之上。