[發明專利]用于防止極低K電介質分層的部分金屬填充

在審

• 申請號: 201780056517.4
• 申請日: 2017-08-08
• 公開（公告）號: CN109716514A
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 王忠澤;陳國慶
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/528
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種電路封裝，包括：

基板；

在所述基板的表面上的電介質層；

在所述電介質層內的多個金屬層；和

在所述電介質層的表面上的超厚金屬UTM導體；其中所述多個金屬層被配置為多個金屬焊盤，并且其中所述UTM導體的占用面積內的所述電介質層配置有多個過孔，所述多個過孔將所述多個金屬焊盤中的所述金屬層的相鄰的對之間的個體金屬焊盤連接到多個中斷的過孔堆疊中，所述多個中斷的過孔堆疊不跨超過所述金屬層中的三層延伸。

2.根據權利要求1所述的電路封裝，其中所述UTM導體的所述占用面積之外的所述電介質層的一部分配置有多個未中斷的過孔堆疊，每個未中斷的過孔堆疊延伸穿過所有所述金屬層。

3.根據權利要求2所述的電路封裝，其中所述電介質層是極低k電介質層。

4.根據權利要求2所述的電路封裝，其中所述極低k電介質層選自由多孔聚合物材料、氟摻雜的二氧化硅、多孔二氧化硅、多孔碳摻雜的二氧化硅、干凝膠、氣凝膠、特氟龍和F摻雜的無定形碳構成的組。

5.根據權利要求2所述的電路封裝，其中所述UTM導體是銅UTM電感器。

6.根據權利要求2所述的電路封裝，其中所述電介質層的所述部分圍繞所述UTM導體的所述占用面積。

7.根據權利要求2所述的電路封裝，其中所述中斷的過孔堆疊不延伸超過所述金屬層中的多于兩個金屬層，并且其中所述金屬焊盤在每個金屬層內被布置成行和列，并且其中每行中的所述金屬焊盤以從第一金屬焊盤到最后的金屬焊盤的順次順序排列。

8.根據權利要求7所述的電路封裝，其中在所述金屬層中的第一金屬層與所述金屬層中的相鄰的第二金屬層之間的所述中斷的過孔堆疊對于每行開始于所述第一金屬焊盤以所述順次順序僅耦合到每隔一個金屬焊盤。

9.根據權利要求8所述的電路封裝，其中在所述金屬層中的所述第二金屬層與所述金屬層中的相鄰的第三金屬層之間的所述中斷的過孔堆疊對于每行開始于所述金屬焊盤中的在所述第一金屬焊盤之后的第二金屬焊盤以所述順次順序僅耦合到每隔一個金屬焊盤。

10.根據權利要求7所述的電路封裝，其中在所述金屬層中的第一金屬層與所述金屬層中的相鄰的第二金屬層之間的所述中斷的過孔堆疊耦合到所述第一金屬層中的每個金屬焊盤。

11.根據權利要求2所述的電路封裝，其中每個中斷的過孔堆疊跨所述金屬層中的三個金屬層延伸，并且其中在所述中斷的過孔堆疊的第一組中的每個中斷的過孔堆疊從所述金屬層中的第一金屬層延伸穿過金屬層中的第三金屬層，并且其中在所述中斷的過孔堆疊的第二組中的每個中斷的過孔堆疊從所述金屬層中的第二金屬層延伸穿過所述金屬層中的第四金屬層，并且其中在所述第一組中的所述中斷的過孔堆疊以關于所述第二組中的所述中斷的過孔堆疊的圖案交錯的圖案布置。

12.根據權利要求11所述的電路封裝，其中在所述第一金屬層中的每個金屬焊盤耦合到所述第一組中的所述中斷的過孔堆疊中的對應的中斷的過孔堆疊。

13.根據權利要求11所述的電路封裝，其中所述第一金屬層包括未耦合到所述第一組中的所述中斷的過孔堆疊中的任一個的金屬焊盤。

14.一種方法，包括：

在用于待沉積的超厚金屬UTM導體的占用面積內，在電介質層內圖案化多個金屬層，以包括多個焊盤，其中所述多個金屬層等于至少四個金屬層；

將所述焊盤中的個體焊盤與沒有跨不多于所述金屬層中的三層延伸的過孔連接；以及

將所述UTM導體沉積在所述占用面積內的所述電介質層之上。