[發明專利]不含SiH的乙烯基二硅烷

有效

• 申請號: 201780056462.7
• 申請日: 2017-09-15
• 公開（公告）號: CN109689569B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: B·D·瑞肯
• 申請（專利權）人: 美國陶氏有機硅公司
• 主分類號: C07F7/08
• 分類號: C07F7/08;C01B33/107;C01B21/068
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 郭輝;陳哲鋒

1.一種不含SiH的乙烯基二硅烷化合物，所述不含SiH的乙烯基二硅烷化合物獨立地由6個硅鍵合的取代基組成，所述6個硅鍵合的取代基選自1至5個硅鍵合的乙烯基基團、4至0個硅鍵合的氯原子和5至1個硅鍵合的二烷基氨基基團。

2.根據權利要求1所述的不含SiH的乙烯基二硅烷化合物，其中所述硅鍵合的取代基分別由1至5個硅鍵合的乙烯基基團和5至1個硅鍵合的二烷基氨基基團組成。

3.根據權利要求2所述的不含SiH的乙烯基二硅烷化合物，所述不含SiH的乙烯基二硅烷化合物獨立地是選自下列物質的全(二烷基氨基，乙烯基)二硅烷：1,2-雙(N,N-二乙基氨基)-1,1,2,2-四乙烯基二硅烷和1,2-雙(N,N-二(1-甲基乙基)氨基)-1,1,2,2-四乙烯基二硅烷。

4.根據權利要求1所述的不含SiH的乙烯基二硅烷化合物，其中所述硅鍵合的取代基分別由1至4個硅鍵合的乙烯基基團、4至1個硅鍵合的氯原子以及4至1個硅鍵合的二烷基氨基基團組成。

5.根據權利要求4所述的不含SiH的乙烯基二硅烷化合物，所述不含SiH的乙烯基二硅烷化合物獨立地是選自下列物質的全(氯，二烷基氨基，乙烯基)二硅烷：1,2-雙(N,N-二乙基氨基)-1,1-二氯-2,2-二乙烯基二硅烷；1-(N,N-二(1-甲基乙基)氨基)-1,1,2,2-四氯-2-乙烯基二硅烷；1-(N,N-二(1-甲基乙基)氨基)-1,1,2-三氯-2,2-二乙烯基二硅烷；和1-(N,N-二(1-甲基乙基)氨基)-1,1-二氯-2,2,2-三乙烯基二硅烷。

6.一種制備不含SiH的乙烯基二硅烷化合物的方法，所述不含SiH的乙烯基二硅烷化合物獨立地由6個硅鍵合的取代基組成，所述6個硅鍵合的取代基選自：1至5個硅鍵合的乙烯基基團、4至0個硅鍵合的氯原子和5至1個硅鍵合的二烷基氨基基團，所述方法包括使不含SiH的氯二硅烷化合物與1至5摩爾當量的乙烯基氯化鎂或與0.5至2.5摩爾當量的二乙烯基鎂接觸以產生包含所述不含SiH的乙烯基二硅烷化合物的反應產物，所述不含SiH的氯二硅烷化合物獨立地由選自1至6個硅鍵合的氯原子和5至0個硅鍵合的二烷基氨基基團的6個硅鍵合的取代基組成。

7.一種處理基底的初始表面的方法，所述方法包括第一接觸步驟，所述第一接觸步驟包括使用第一沉積方法使所述基底的所述初始表面與選自根據權利要求1至5中任一項所述的不含SiH的乙烯基二硅烷化合物的不含SiH的乙烯基二硅烷化合物的蒸氣接觸以產生在所述基底上包括經處理表面的產品。

8.一種制備硅雜原子化合物的方法，所述方法包括第一接觸步驟，所述第一接觸步驟包括使用第一沉積方法使基底的初始表面與選自根據權利要求1至5中任一項所述的不含SiH的乙烯基二硅烷化合物的不含SiH的乙烯基二硅烷化合物的蒸氣接觸以產生在所述基底上的經處理表面；以及第二接觸步驟，所述第二接觸步驟包括使用第二沉積方法使所述基底的所述初始表面或所述經處理表面與含有氮原子、氧原子、碳原子或它們的任意兩種或更多種原子的組合的前體材料的蒸氣或等離子體接觸以產生用所述基底的所述初始表面或經處理表面形成的或在所述基底的所述初始表面或經處理表面上形成的包含硅雜原子化合物的產品。

9.根據權利要求8所述的方法，其中含有氮原子的所述前體材料為分子氮、氨、肼、有機肼、疊氮化氫、伯胺或仲胺；含有氧原子的所述前體材料為分子氧、臭氧、水、一氧化二氮(N₂O)或過氧化氫；并且含有碳原子的所述前體材料為甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、甲基氯硅烷、具有1至5個Si原子的全甲基硅烷，或具有1至5個Si原子的甲基氫化硅烷。

10.根據權利要求8或9所述的方法，所述方法還包括將所述產品的所述硅雜原子化合物與所述產品的所述基底分離的步驟，以便產生所述分離的硅雜原子化合物，作為自立式本體形式。