[發(fā)明專利]CEM切換裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780056439.8 | 申請日： | 2017-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN109690799A | 公開（公告）日： | 2019-04-26 |
| 發(fā)明（設計）人： | K·G·瑞德;L·施弗仁 | 申請（專利權）人： | 阿姆有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 王海寧 |
| 地址： | 英國*** | 國省代碼： | 英國;GB |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 關聯(lián)電子材料 切換裝置 過渡金屬氧化物 制造 | ||
1.一種用于制造CEM切換裝置的方法，該方法包括：形成導電基底，在導電基底之上或上方形成含硅的關聯(lián)電子材料(CEM)的層，以及在含硅CEM層上形成導電覆蓋層。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，包括形成含硅CEM層，所述含硅CEM層包含d區(qū)或f區(qū)金屬硅酸鹽。
3.根據(jù)權利要求1或2的方法，包括形成具有1原子％至20原子％硅含量的含硅CEM層。
4.根據(jù)任一前述權利要求所述的方法，包括形成摻雜劑含量小于硅含量的含硅CEM層。
5.根據(jù)任一前述權利要求所述的方法，包括形成包含硅化物的含硅金屬并使所述硅化物氧化成硅酸鹽。
6.根據(jù)任一前述權利要求所述的方法，其中所述含硅CEM層包含式MxSiyOz:摻雜劑的硅酸鹽，其中x、y和z大于零。
7.根據(jù)任一前述權利要求所述的方法，其中所述CEM層的形成納入來自有機或無機金屬前體的摻雜劑。
8.根據(jù)權利要求5所述的方法，包括通過暴露于來自環(huán)境氣氛的摻雜劑來摻雜所述硅化物。
9.根據(jù)權利要求5所述的方法，包括通過暴露于來自環(huán)境氣氛的摻雜劑來摻雜所述硅酸鹽。
10.根據(jù)權利要求5至9中任一項所述的方法，其中所述氧化包括濕氧化、干氧化或等離子體氧化。
11.根據(jù)權利要求5-10中任一項所述的方法，其中在低于500℃的溫度下進行氧化。
12.根據(jù)前述任一權利要求所述的方法，其中含硅CEM層的形成在低于500℃的溫度下進行。
13.一種CEM切換裝置，包括設置在導電基底和導電覆蓋層之間的CEM層，其中所述CEM層包括含硅CEM層。
14.根據(jù)權利要求13所述的CEM切換裝置，其中所述含硅CEM層是原生的。
15.根據(jù)權利要求13或14所述的CEM切換裝置，其中所述含硅CEM層具有在15nm和20nm之間的厚度。
16.根據(jù)權利要求13至15中任一項所述的CEM切換裝置，其中所述含硅CEM層包含式MzSixOy:摻雜劑的硅酸鹽，其中M是d區(qū)或f區(qū)金屬，并且x、y和z大于零并且不一定是整數(shù)。
17.根據(jù)權利要求13-16中任一項所述的CEM切換裝置，其中所述CEM層的硅含量在1原子％和20原子％之間。
18.根據(jù)權利要求13至17中任一項所述的CEM切換裝置，其中所述CEM層的摻雜劑含量小于硅含量。
19.根據(jù)權利要求16所述的CEM切換裝置，其中所述金屬選自于由如下構成的組：鋁、鎘、鉻、鈷、銅、金、鐵、錳、汞、鉬、鎳、鈀、錸、銀、鉭、錫、鈦、釩、錸、釕、銀、鉭、錫、鈦、釩、釔、鐿和鋅。
20.根據(jù)權利要求13-18中任一項所述的CEM切換裝置，其中所述含硅CEM層包含摻雜有羰基配體的硅酸鎳。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于阿姆有限公司，未經阿姆有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780056439.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
