[發(fā)明專(zhuān)利]復(fù)合基板及其制法以及電子器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780055823.6
• 申請(qǐng)日: 2017-09-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109690943B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 野本祐輝;田中啟;井上勝弘;勝田祐司
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 日本礙子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H03H9/25
• 分類(lèi)號(hào): H03H9/25
• 代理公司: 北京旭知行專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 11432
• 代理人: 王軼;陳東升

1.一種復(fù)合基板，其通過(guò)支撐基板和功能性基板直接接合而成，其中，

所述支撐基板為硅鋁氧氮陶瓷燒結(jié)體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合基板，其中，

在所述支撐基板和所述功能性基板的界面具有非晶質(zhì)層，所述非晶質(zhì)層的厚度為5nm以下。

3.一種復(fù)合基板，其通過(guò)支撐基板和功能性基板隔著非晶質(zhì)層接合而成，其中，

所述非晶質(zhì)層的厚度為5nm以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的復(fù)合基板，其中，

所述功能性基板為壓電基板。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的復(fù)合基板，其中，

所述支撐基板中的音速為5000m/s以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的復(fù)合基板，其中，

所述支撐基板的40℃～400℃的熱膨脹系數(shù)為3.0ppm/K以下。

7.一種復(fù)合基板的制法，其是制造權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的復(fù)合基板的方法，其中，

所述復(fù)合基板的制法包含通過(guò)直接接合的方式而使得所述支撐基板的所述表面和所述功能性基板的表面接合的接合工序，

在所述接合工序之前，對(duì)所述表面進(jìn)行拋光，以使得存在于所述支撐基板表面的氣孔的數(shù)量在每100μm×100μm的面積內(nèi)為30個(gè)以下。

8.一種復(fù)合基板的制法，其是制造權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的復(fù)合基板的方法，其中，

所述復(fù)合基板的制法包含通過(guò)直接接合的方式而使得所述支撐基板的表面和所述功能性基板的表面接合的接合工序，

在所述接合工序之前，對(duì)所述表面進(jìn)行拋光以使得所述支撐基板的所述表面的100μm×140μm的測(cè)定范圍內(nèi)的中心線(xiàn)平均粗糙度Ra為1nm以下。

9.一種復(fù)合基板的制法，其是制造權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的復(fù)合基板的方法，其中，

所述復(fù)合基板的制法包含通過(guò)直接接合的方式而使得所述支撐基板的表面和所述功能性基板的表面接合的接合工序，

在所述接合工序之前，對(duì)所述表面進(jìn)行拋光以使得所述支撐基板的所述表面的100μm×140μm的測(cè)定范圍內(nèi)的截面曲線(xiàn)的最大峰高和最大谷深的高度差Pt為30nm以下。

10.一種電子器件，其利用了權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的復(fù)合基板。