[發(fā)明專利]基板處理裝置及基板處理方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780055662.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109716489B | 公開(公告)日: | 2022-11-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 三浦丈苗 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社斯庫(kù)林集團(tuán) |
| 主分類號(hào): | H01L21/306 | 分類號(hào): | H01L21/306;H01L21/304 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;宋曉寶 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,對(duì)基板進(jìn)行處理,其中,
所述基板處理裝置具有:
腔室,具有腔室主體及腔室蓋部,通過利用所述腔室蓋部封閉所述腔室主體的上部開口,形成包括所述腔室主體及所述腔室蓋部的腔室密閉結(jié)構(gòu);
腔室開閉機(jī)構(gòu),使所述腔室蓋部相對(duì)于所述腔室主體沿著上下方向相對(duì)地移動(dòng);
基板保持部,配置于所述腔室內(nèi),將基板保持為水平狀態(tài);
基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),以朝向所述上下方向的中心軸為中心,使所述基板與所述基板保持部一起旋轉(zhuǎn);
處理液供給部,向所述基板上供給處理液;
第一杯部,整周地位于通過所述腔室蓋部從所述腔室主體離開而在所述基板的周圍所形成的環(huán)狀開口的徑向外側(cè),以接收從旋轉(zhuǎn)的所述基板飛散的處理液;
杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu),使所述第一杯部在所述環(huán)狀開口的徑向外側(cè)的第一位置與比所述第一位置更靠下方的第二位置之間沿著所述上下方向移動(dòng);以及
第二杯部,配置于所述第一杯部的上側(cè),在所述第一杯部位于所述第二位置的狀態(tài)下整周地位于所述環(huán)狀開口的徑向外側(cè),以接收從旋轉(zhuǎn)的所述基板飛散的處理液,
所述第二杯部通過所述腔室開閉機(jī)構(gòu)或所述杯部移動(dòng)機(jī)構(gòu)沿著所述上下方向移動(dòng),
在形成有所述環(huán)狀開口的狀態(tài)下,通過位于所述第一位置的所述第一杯部與所述腔室蓋部及所述腔室主體接觸,形成包括所述腔室蓋部、所述腔室主體及所述第一杯部的第一外部密閉結(jié)構(gòu),
在形成有所述環(huán)狀開口的狀態(tài)下,通過所述第二杯部與所述腔室蓋部及位于所述第二位置的所述第一杯部接觸,形成包括所述腔室蓋部、所述腔室主體、所述第一杯部及所述第二杯部的第二外部密閉結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其中,
所述第二杯部的內(nèi)周緣部與所述腔室蓋部的外周緣部沿著上下方向重疊,
在所述腔室蓋部封閉所述腔室主體的所述上部開口的狀態(tài)下,所述第二杯部由所述第一杯部支撐,所述第二杯部的所述內(nèi)周緣部朝上方離開所述腔室蓋部的所述外周緣部,
在所述腔室蓋部通過所述腔室開閉機(jī)構(gòu)而朝離開所述腔室主體的方向相對(duì)地移動(dòng)時(shí),所述第二杯部的所述內(nèi)周緣部由所述腔室蓋部的所述外周緣部支撐,所述第二杯部與所述腔室蓋部一起相對(duì)于所述腔室主體相對(duì)地移動(dòng)。
3.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置,其中,
所述第一杯部在與所述第二杯部接觸的位置具有杯密封部,該杯密封部在所述第一杯部與所述第二杯部之間整周地形成密封。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置,其中,
所述第二杯部的外徑在所述第一杯部的外徑以下。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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