[發(fā)明專利]貼合式SOI晶圓的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780055519.1
• 申請日: 2017-08-22
• 公開（公告）號: CN109690733B
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石塚徹;濱節(jié)哉
• 申請（專利權(quán)）人: 信越半導(dǎo)體株式會(huì)社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L27/12
• 代理公司: 北京京萬通知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11440
• 代理人: 許天易

1.一種貼合式SOI晶圓的制造方法，具有對內(nèi)面具有氧化膜的貼合式SOI晶圓在氬氛圍下實(shí)施熱處理而使SOI層的表面平坦化的步驟，其中

于通過批次式熱處理爐而進(jìn)行在該氬氛圍下的熱處理時(shí)，于收納在該批次式熱處理爐內(nèi)的相鄰的該貼合式SOI晶圓之間，配置硅晶圓作為擋片而進(jìn)行熱處理。

2.如權(quán)利要求1所述的貼合式SOI晶圓的制造方法，其中作為該擋片而使用的硅晶圓系為尚未作為該擋片而使用的鏡面研磨晶圓，或?yàn)橛谧鳛樵摀跗褂煤髮?shí)施洗凈的鏡面研磨晶圓。

3.如權(quán)利要求1或2所述的貼合式SOI晶圓的制造方法，其中在該氬氛圍下的熱處理的溫度為1150℃以上。