[發明專利]具有具形態學屬性的孔的制品及其制造方法

在審

• 申請號: 201780055422.0
• 申請日: 2017-09-07
• 公開（公告）號: CN109843819A
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發明（設計）人: A·科瓦盧比亞斯加拉米羅;金宇輝;F·A·卡拉莫四世;E·A·庫克森科瓦;D·W·小萊弗斯克;G·A·皮希;A·B·肖瑞;R·S·瓦格納
• 申請（專利權）人: 康寧股份有限公司
• 主分類號: C03C15/00
• 分類號: C03C15/00;B23K26/00;C03C23/00;H01L23/498;H05K3/00;H05K3/40;B23K26/55
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張璐;項丹

1.一種制品，其包括：

玻璃基基材，其包括第一表面、第二表面、以及從第一表面延伸的至少一個孔，其中：

所述至少一個孔包括內壁，所述內壁的表面粗糙度R_a小于或等于1μm；

所述至少一個孔在第一表面處存在具有第一直徑的第一開口；

基于玻璃基基材的平均厚度，第一平面由玻璃基基材的第一表面限定；并且

凹陷深度與所述至少一個孔的第一直徑的比值小于或等于0.007，其中，從第一平面到所述至少一個孔的第一開口處的第一表面測量凹陷深度。

2.如權利要求1所述的制品，其中：

所述至少一個孔是從第一表面延伸到第二表面的穿孔，使得具有第二直徑的第二開口存在于第二表面上；

基于玻璃基基材的平均厚度，第二平面由玻璃基基材的第二表面限定；并且

第二凹陷深度與所述至少一個孔的第二直徑的比值小于或等于0.007，其中，從第二平面到所述至少一個孔的第二開口處的第二表面測量第二凹陷深度。

3.如前述權利要求中任一項所述的制品，其中，凹陷深度與所述至少一個孔的第一直徑的比值小于或等于0.005。

4.如前述權利要求中任一項所述的制品，其中，內壁的表面粗糙度R_a在0.1μm至1μm的范圍內。

5.如前述權利要求中任一項所述的制品，其中，所述至少一個孔的圓度小于或等于5μm。

6.如前述權利要求中任一項所述的制品，其中：

所述至少一個孔是穿孔，使得所述至少一個孔在第二表面上存在具有第二直徑的第二開口；

第一直徑與第二直徑之間的差小于或等于2μm；

所述至少一個孔的圓度小于或等于5μm；

第一直徑和第二直徑各自在5μm至250μm的范圍內；并且

玻璃基基材的平均厚度與第一直徑和第二直徑中的至少一者的縱橫比在1:1至15:1的范圍內。

7.如權利要求6所述的制品，其中：

所述至少一個孔包含具有腰部直徑的腰部；并且

所述至少一個孔的腰部直徑大于或等于第一直徑和第二直徑中的最大者的80％。

8.如權利要求6所述的制品，其中：

所述至少一個孔包含具有腰部直徑的腰部；并且

所述腰部直徑在第一直徑和第二直徑中的最大者的20％至100％的范圍內。

9.一種制品，其包括：

玻璃基基材，其包括第一表面、第二表面、以及從第一表面和第二表面中的至少一者延伸的至少一個孔，其中：

所述至少一個孔包括內壁，所述內壁的表面粗糙度R_a小于或等于1μm；

所述至少一個孔包含在第一表面處的具有第一直徑的第一開口；并且

第一直徑在5μm至250μm的范圍內。

10.如權利要求9所述的制品，其中，內壁的表面粗糙度R_a小于或等于0.3μm。

11.如權利要求9或10所述的制品，其中，所述至少一個孔的第一直徑在5μm至100μm的范圍內。

12.一種半導體封裝件，其包括：

如前述權利要求中任一項所述的制品，所述制品在所述至少一個孔中設置有導電材料；和

半導體裝置，其與設置在所述至少一個孔中的導電材料電耦合。