[發明專利]激光照射裝置、激光照射方法以及半導體器件制造方法

在審

• 申請號: 201780055165.0
• 申請日: 2017-06-02
• 公開（公告）號: CN109690739A
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發明（設計）人: 三上貴弘;藤貴洋;鈴木祐輝;山口芳広
• 申請（專利權）人: 株式會社日本制鋼所
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268;B65G49/06;H01L21/20;H01L21/677
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

根據本發明一種實施方式的激光照射裝置(1)具有：生成激光束的激光生成裝置(14)；使待由所述激光束照射的工件(16)浮起的浮起單元(10)；以及對所述已浮起工件(16)進行傳送的傳送單元(11)。所述傳送單元(11)在不與所述激光束的照射位置(15)交疊的位置處將所述工件(16)保持于其上的同時，對該工件(16)進行傳送。采用本發明一種實施方式的激光照射裝置(1)可減小激光束的不均勻照射。

技術領域

本發明涉及激光照射裝置、激光照射方法以及半導體器件制造方法。舉例而言，本發明涉及一種設有傳送工件的傳送單元的激光照射裝置、激光照射方法以及半導體器件制造方法。

背景技術

一種已知激光退火裝置通過以激光束照射形成于硅片、玻璃基片等物之上的非晶膜而使該非晶膜結晶化。專利文獻1公開一種激光退火裝置，該裝置在利用浮起單元使基片浮起的同時以傳送單元傳送該基片，并以激光束對該基片進行照射。專利文獻2公開一種通過以激光束照射待加工物體而對該物體進行加工的激光加工裝置。

引用列表

專利文獻

專利文獻1：公開號為2002-231654的日本專利申請

專利文獻2：公開號為2009-10161的日本專利申請

發明內容

技術問題

在專利文獻1所公開的技術中，在利用浮起單元使基片浮起的同時以傳送單元傳送該基片，并以激光束對該基片進行照射。在以傳送單元傳送基片的過程中，該基片保持于傳送單元上。在傳送單元對基片的保持位置處，應力在基片傳送過程中從傳送單元傳遞至基片，從而使得基片可能發生撓曲。如此，在如專利文獻1所公開技術中所述，傳送單元經過激光束照射位置的情形中，由于基片在傳送單元對基片的保持位置附近發生撓曲，因此基片脫離激光束的焦深(DOF:Depth of Focus)，導致激光束對基片照射不均的問題。

根據本說明的描述以及附圖，其他問題及新穎特征將變得容易理解。

解決問題的技術手段

一種實施方式的激光照射裝置包括對工件進行傳送的傳送單元。該傳送單元在不與激光束照射位置交疊的位置處將所述工件保持于其上的同時，對該工件進行傳送。

本發明的有益效果

上述實施方式可提供一種能夠減小激光束的不均勻照射的激光照射裝置、激光照射方法及半導體器件制造方法。

附圖說明

圖1為比較例激光照射裝置平面圖。

圖2為圖1所示激光照射裝置沿切割線II-II的剖視圖。

圖3為比較例激光照射裝置另一結構的平面圖。

圖4為第一實施方式激光照射裝置平面圖。

圖5為圖4所示激光照射裝置沿切割線V-V的剖視圖。

圖6為圖4所示激光照射裝置沿切割線VI-VI的剖視圖。

圖7A為第一實施方式激光照射裝置所實施的操作的平面圖。

圖7B為第一實施方式激光照射裝置所實施的操作的平面圖。

圖7C為第一實施方式激光照射裝置所實施的操作的平面圖。

圖7D為第一實施方式激光照射裝置所實施的操作的平面圖。

圖7E為第一實施方式激光照射裝置所實施的操作的平面圖。

圖7F為第一實施方式激光照射裝置所實施的操作的平面圖。

圖8為第一實施方式激光照射裝置另一例示結構的平面圖。