[發(fā)明專利]光學(xué)半導(dǎo)體元件覆蓋用薄片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780055044.6
• 申請日: 2017-08-28
• 公開（公告）號: CN109690181B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 三谷宗久;松田廣和;鈴木一聰
• 申請（專利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/52
• 分類號: H01L33/52;F21Y115/10;F21Y115/30
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 劉曉迪

1.一種光學(xué)半導(dǎo)體元件覆蓋用薄片，用于直接地覆蓋熒光體層覆蓋元件的上表面和側(cè)表面，該熒光體層覆蓋元件包括光學(xué)半導(dǎo)體元件和覆蓋該光學(xué)半導(dǎo)體元件的熒光體層，其特征在于，

沿厚度方向依次具有含有白色粒子的透光白色層、和含有光擴散粒子的光擴散層，

其中，該透光白色層為沿平面方向延伸且厚度均一的薄片并完整覆蓋于該光擴散層上。

2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)半導(dǎo)體元件覆蓋用薄片，其特征在于，

所述光學(xué)半導(dǎo)體元件覆蓋用薄片的厚度方向上的亮度L＊在51.2以上且67.7以下。

3.如權(quán)利要求2所述的光學(xué)半導(dǎo)體元件覆蓋用薄片，其特征在于，

所述光學(xué)半導(dǎo)體元件覆蓋用薄片的厚度方向上的亮度L＊在55.7以上且66.6以下。

4.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)半導(dǎo)體元件覆蓋用薄片，其特征在于，

所述光擴散層的半值角在20°以上且120°以下。

5.如權(quán)利要求4所述的光學(xué)半導(dǎo)體元件覆蓋用薄片，其特征在于，

所述光擴散層的半值角在40°以上且120°以下。

6.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)半導(dǎo)體元件覆蓋用薄片，其特征在于，

所述透光白色層的厚度在30μm以上且200μm以下。

7.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)半導(dǎo)體元件覆蓋用薄片，其特征在于，

所述光擴散層的厚度在30μm以上且600μm以下。

8.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)半導(dǎo)體元件覆蓋用薄片，其特征在于，

所述光擴散層含有B階段的樹脂。

9.如權(quán)利要求8所述的光學(xué)半導(dǎo)體元件覆蓋用薄片，其特征在于，

所述光擴散層在頻率1Hz、升溫速度20℃/分鐘的條件下利用動態(tài)粘彈性測量得到的表示剪切儲能模量G’和溫度T的關(guān)系的曲線具有極小值，

所述極小值中的溫度T在40℃以上且200℃以下的范圍內(nèi)，

所述極小值中的剪切儲能模量G’在1000Pa以上且90000Pa以下的范圍內(nèi)。