[發明專利]MEMS換能器、電子設備和集成電路

有效

• 申請號: 201780055026.8
• 申請日: 2017-07-13
• 公開（公告）號: CN109691133B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: E·J·博伊德
• 申請（專利權）人: 思睿邏輯國際半導體有限公司
• 主分類號: H04R7/18
• 分類號: H04R7/18;H04R19/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司 11285
• 代理人: 關麗麗;鄭建暉

1.一種MEMS換能器，包括：

一個柔性膜層和一個基底，其中所述柔性膜層沿著多個支撐邊緣以相對于所述基底固定的關系被支撐，所述多個支撐邊緣限定一個大體上由所述支撐邊緣定界的膜區域，所述柔性膜層還包括設置在第一支撐邊緣和第二鄰近的支撐邊緣之間的至少一個未固定部分，其中鄰近的支撐邊緣被設置成使得能夠繪制與所述第一支撐邊緣重合的線，所述線將在頂點處與所繪制的與所述第二鄰近的支撐邊緣重合的線相交，所述未固定部分被設置在所述頂點處或所述頂點附近；其中“一個大體上由所述支撐邊緣定界的膜區域”被解釋為要求所述支撐邊緣沿著膜區域的周界的至少75％，以相對于基底固定的關系支撐該膜區域。

2.根據權利要求1所述的MEMS換能器，其中所述柔性膜層包括四個支撐邊緣和四個頂點，所述支撐邊緣限定一個具有正方形或矩形形狀的膜區域，且其中在所述頂點中的每個處設置一個未固定部分。

3.根據權利要求1或2所述的MEMS換能器，其中在所述膜區域中設置多個縫，所述縫限定多個梁。

4.根據權利要求3所述的MEMS換能器，其中所述多個縫被設置在一個應力釋放區域中，所述應力釋放區域位于膜的覆蓋所述基底的腔的區域的側向外部。

5.根據權利要求3所述的MEMS換能器，其中每個梁限定一個在橫向于所述支撐邊緣的方向上延伸的筆直的路徑。

6.根據權利要求3所述的MEMS換能器，其中每個梁限定一個位于所述梁的第一端點和第二端點之間的路徑，所述路徑包括至少一個方向改變。

7.根據權利要求6所述的MEMS換能器，其中每個梁包括第一橫向部分、第二橫向部分以及連接部分，所述第一橫向部分在橫向于支撐邊緣的第一方向上延伸，所述第二橫向部分在平行于所述第一方向的方向上延伸，所述連接部分在所述第一橫向部分和第二橫向部分之間延伸。

8.根據權利要求7所述的MEMS換能器，其中所述連接部分在所述第一橫向部分和第二橫向部分之間正交地延伸。

9.根據權利要求3所述的MEMS換能器，其中彎曲梁是S形的或Z形的。

10.根據權利要求3所述的MEMS換能器，其中所述多個梁沿著能夠平行于所述支撐邊緣所限定的線以規則間隔定位。

11.根據權利要求3所述的MEMS換能器，其中所述多個梁是相同的。

12.根據權利要求1或2所述的MEMS換能器，其中所述柔性膜層包括晶體材料或多晶材料。

13.根據權利要求12所述的MEMS換能器，其中所述柔性膜層包括氮化硅。

14.根據權利要求1或2所述的MEMS換能器，包括一個背板結構，其中所述柔性膜層相對于所述背板結構被支撐。

15.根據權利要求14所述的MEMS換能器，其中所述背板結構包括穿過所述背板結構的多個孔。

16.根據權利要求1或2所述的MEMS換能器，其中所述換能器包括電容式傳感器。

17.根據權利要求1或2所述的MEMS換能器，其中所述換能器包括麥克風。

18.根據權利要求16所述的MEMS換能器，還包括讀出電路系統。

19.根據權利要求18所述的MEMS換能器，其中所述讀出電路系統能夠包括模擬電路系統和/或數字電路系統。