[發明專利]通過鋰化和脫鋰的可調諧鈮酸鋰諧振器和濾波器

在審

• 申請號: 201780054784.8
• 申請日: 2017-09-06
• 公開（公告）號: CN109643981A
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: A.薩馬勞
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H01L41/319
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 楊倩;王麗輝

1.一種表面聲波(SAW)裝置，其包括：

具有主表面的硅襯底；

由鈮酸鋰形成的壓電襯底；

插置在所述硅襯底與所述壓電襯底之間的金屬氧化物層；以及

所述壓電襯底上的至少一個電極。

2.根據權利要求1所述的SAW裝置，其中，所述金屬氧化物層由氧化鋁形成。

3.根據權利要求2所述的SAW裝置，其中，所述至少一個電極包括至少一對叉指式換能器。

4.根據權利要求1所述的SAW裝置，其還包括被構造成改變所述壓電襯底的充電中心的調諧電路。

5.根據權利要求4所述的SAW裝置，其中，所述調諧電路包括電連接到所述壓電襯底的電阻器和電壓源中的至少一者。

6.根據權利要求5所述的SAW裝置，其中，所述電阻器是可調諧電阻器。

7.根據權利要求4所述的SAW裝置，其中，所述調諧電路包括電壓源，所述電壓源被構造成向所述壓電襯底施加預定電壓。

8.根據權利要求3所述的SAW裝置，其還包括在所述壓電襯底上定位在所述至少一對叉指式換能器的相對側面上的一對反射器。

9.一種制作可調諧表面聲波(SAW)裝置的方法，所述方法包括：

在硅襯底上沉積金屬氧化物層；

將壓電襯底附接到所述金屬氧化物層，所述壓電襯底由鈮酸鋰形成；以及

在所述壓電襯底與所述金屬氧化物層相對的側面上形成至少一個電極。

10.根據權利要求10所述的方法，其中，所述金屬氧化物層是氧化鋁層。

11.根據權利要求11所述的方法，其中，所述氧化鋁層使用原子層沉積過程沉積。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述至少一個電極包括至少一對叉指式換能器。

13.根據權利要求11所述的方法，其還包括：

將調諧電路連接到所述壓電襯底，所述調諧電路被構造成選擇性地改變所述壓電襯底的充電中心。

14.一種操作可調諧表面聲波(SAW)裝置的方法，所述方法包括：

將調諧電路電連接到所述可調諧SAW裝置，所述可調諧SAW裝置包括：

硅襯底；

由鈮酸鋰形成的壓電襯底；以及

插置在所述硅襯底與所述壓電襯底之間的氧化鋁層；

在所述壓電襯底上在所述壓電襯底與所述氧化鋁層相對的側面上的至少一個電極，

激活所述調諧電路以選擇性地改變所述壓電襯底的充電中心，以便改變所述SAW裝置的諧振頻率。

15.根據權利要求15所述的方法，其中，所述調諧電路包括電連接到所述壓電襯底的電阻器和電壓源中的至少一者。