[發(fā)明專利]基板處理裝置及使用該裝置的基板處理方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780054769.3
• 申請日: 2017-09-28
• 公開（公告）號: CN109964330A
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曺生賢;安成一
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/00;H01L21/203;H01L21/02;C23C14/54;C23C14/04
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種基板處理裝置，包括：

工藝腔室(10)，被配置為提供與外界隔離的工藝環(huán)境；

至少一個距離測量部，被配置為以非接觸方式測量被提供在所述工藝腔室(10)中的基板(S)與掩模(350)之間的距離；及

緊密接觸驅(qū)動部，被配置為在所述距離測量部測量所述基板(S)與所述掩模(350)之間的所述距離的同時使所述基板(S)和所述掩模(350)通過相對移動而彼此緊密接觸。

2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中所述距離測量部包括安裝在所述工藝腔室(10)中且測量相對于所述掩模(350)的相對距離的第一距離測量部(510)及安裝在所述工藝腔室(10)中且測量相對于所述基板(S)的相對距離的第二距離測量部(520)。

3.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其中所述基板(S)被靜電吸盤(340)吸附及固定，且被提供在所述掩模(350)與所述距離測量部之間。

4.如權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，

其中所述第一距離測量部(510)用激光射束輻照所述掩模(350)的掩模片(351)的底面或所述掩模片(351)所固定到的掩模框(352)的底面，以測量相對于所述掩模(350)的相對距離，及

其中穿過所述靜電吸盤(340)的通孔(342)在對應(yīng)于所述第一距離測量部(510)的位置處形成于所述靜電吸盤(340)中，使得激光射束到達(dá)所述掩模(350)。

5.如權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其中所述第二距離測量部(520)用激光射束輻照通過所述通孔(342)而暴露的所述基板(S)的底面，以測量相對于所述基板(S)的相對距離。

6.如權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其中所述第二距離測量部(520)用激光射束輻照所述靜電吸盤(340)以測量相對于所述基板(S)的相對距離。

7.如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，

其中沿著內(nèi)周向所述通孔(342)內(nèi)凸出且形成步階部(345)的凸出部(344)被形成于所述靜電吸盤(340)的所述通孔(342)中，及

其中所述第二距離測量部(520)用激光射束輻照由所述凸出部(344)形成的所述步階部(345)，以測量相對于所述基板(S)的所述相對距離。

8.如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，

其中阻擋所述通孔(342)的一部分的阻擋構(gòu)件(346)被形成于所述靜電吸盤(340)的所述通孔(342)中，及

其中所述第二距離測量部(520)用激光射束輻照所述阻擋構(gòu)件(346)以測量相對于所述基板(S)的所述相對距離。

9.如權(quán)利要求8所述的基板處理裝置，其中所述阻擋構(gòu)件(346)由玻璃或石英形成。

10.如權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其中多個通孔(342)沿著所述靜電吸盤(340)的邊緣而形成。

11.如權(quán)利要求1到10所述的基板處理裝置，進(jìn)一步包括：

控制部，被配置為基于由所述距離測量部測量到的所述基板(S)與所述掩模(350)之間的間隔來控制所述緊密接觸驅(qū)動部。

12.如權(quán)利要求1到10所述的基板處理裝置，其中所述基板(S)和所述掩模(350)中的各者被垂直傳輸?shù)剿龉に嚽皇?10)且被夾持在垂直狀態(tài)下。