[發(fā)明專利]先進的鋁電解池

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780054581.9
• 申請日: 2017-07-07
• 公開（公告）號: CN109689940A
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: X·劉
• 申請（專利權(quán)）人: 美國鋁業(yè)公司
• 主分類號: C25C3/08
• 分類號: C25C3/08;C25C3/06;C25C3/16;C25C3/18;C25C7/02;C25C7/04
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐;洪欣

1.一種電解池，包括：

至少一個陽極模塊，所述至少一個陽極模塊具有多個陽極，其中所述多個陽極中的每個陽極是析氧電極；

至少一個陰極模塊，所述至少一個陰極模塊與所述陽極模塊相對，其中所述至少一個陰極模塊包括多個豎向陰極，

其中所述多個陽極中的每個陽極和所述多個豎向陰極中的每個豎向陰極在其上具有豎向定向并且彼此間隔開的表面，

其中所述陰極能夠被熔融鋁潤濕，并且其中所述至少一個陰極模塊聯(lián)接至所述電解池的底部；

池貯存器；

布置在所述池貯存器內(nèi)的電解質(zhì)；以及

池底部，所述池底部對所述陰極模塊進行支承，

其中所述池底部包括第一上表面、第二上表面和通道，

其中所述多個豎向陰極從所述上表面向上延伸，

其中所述多個豎向陰極被完全浸沒在所述電解質(zhì)中，

其中在所述多個豎向陰極下方定位有至少一個陰極塊，

其中所述第一上表面和所述第二上表面被構(gòu)造成將所述電解池中產(chǎn)生的基本上所有液態(tài)鋁引導至所述通道，并且

其中所述通道被構(gòu)造成接納來自所述上表面的液態(tài)鋁。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電解池，其中所述池底部的所述上表面具有第一上表面和第二上表面，所述通道位于所述第一上表面與所述第二上表面之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電解池，其中所述通道相對于所述電解池的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁等距地定位。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電解池，還包括鄰近于所述電解池的所述第一側(cè)壁或所述第二側(cè)壁中的至少一者定位的槽。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電解池，其中所述第一上表面從豎向陰極表面朝向第二上表面傾斜，并且其中所述第二上表面從所述電解池的側(cè)壁朝向所述通道傾斜。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電解池，其中所述第一上表面和所述第二上表面從所述電解池的所述側(cè)壁朝向所述通道傾斜。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電解池，其中所述第一上表面包括從所述豎向陰極的表面朝向所述第二上表面延伸的第一下降線。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電解池，其中，所述第一上表面沿著從所述豎向陰極的表面到所述第二上表面的所述第一下降線具有0至60度的斜率。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電解池，其中所述第二上表面包括從所述側(cè)壁朝向所述通道延伸的第二下降線。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電解池，其中所述第二上表面沿著從所述側(cè)壁到所述通道的所述第二下降線具有0到60度的斜率。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電解池，其中所述池底部包括鋁可潤濕材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電解池，其中所述鋁可潤濕材料是TiB2、ZrB2、HfB2、SrB2或其組合中的至少一者。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電解池，其中所述通道沿著從所述電解池的第一端壁到第二端壁的第三下降線具有0到15度的斜率。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電解池，其中所述通道包括鋁可潤濕材料。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電解池，其中所述鋁可潤濕材料是TiB2、ZrB2、HfB2、SrB2或其組合中的至少一者。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電解池，還包括鄰近于所述通道的低點的貯槽。