[發(fā)明專利]用于高縱橫比結(jié)構(gòu)的剝離方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780054314.1
• 申請(qǐng)日: 2017-05-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109690735B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 維賈伊·M·瓦尼亞普拉;馬紹銘;侯力
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑪特森技術(shù)公司;北京屹唐半導(dǎo)體科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/033
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/033;H01L21/3065;H01L21/02
• 代理公司: 北京易光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11596
• 代理人: 崔曉光

1.一種從具有高縱橫比結(jié)構(gòu)的襯底中去除摻雜的非晶碳膜的至少一部分的方法，該方法包括：

在襯底上的高縱橫比結(jié)構(gòu)的頂端的至少一部分上沉積聚合物層；和

使用等離子體剝離工藝從所述襯底中去除所述聚合物層和所述摻雜的非晶碳膜兩者中的至少一部分；

其中沉積所述聚合物層包括用所述聚合物層堵塞一個(gè)或多個(gè)高縱橫比結(jié)構(gòu)的所述頂端，使得所述聚合物層部分地延伸到所述高縱橫比結(jié)構(gòu)中，從而在所述等離子體剝離工藝期間減少與所述高縱橫比結(jié)構(gòu)有關(guān)的下層的暴露；

其中所述高縱橫比結(jié)構(gòu)包括由氧化物和氮化物的交替層形成的溝槽，并且其中所述聚合物層僅部分地延伸到所述高縱橫比結(jié)構(gòu)的所述溝槽中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中沉積聚合物層包括：在一個(gè)或多個(gè)高縱橫比結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成聚合物層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中使用聚合物沉積形成所述聚合物層，所述聚合物沉積是利用CHF ₃、H ₂、N ₂、Ar中的至少一種實(shí)施的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中使用氣體C_xH_yF_z與任何H₂的結(jié)合或氣體C_xH_yF_z與任何C_x1H_y1的結(jié)合形成所述聚合物層，其中x，y，z，x1和y1是整數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述聚合物層是在10毫托至5托的壓力范圍內(nèi)形成的。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中沉積聚合物層是在刻蝕室中進(jìn)行的，并且去除所述聚合物層和所述摻雜的非晶碳膜兩者中的至少一部分是在與等離子體室分開(kāi)的剝離室中進(jìn)行的。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中沉積聚合物層和去除所述聚合物層和所述摻雜的非晶碳膜兩者的至少一部分是在同一腔室中進(jìn)行。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中沉積聚合物層和去除所述聚合物層和所述摻雜的非晶碳膜兩者的至少一部分的操作重復(fù)執(zhí)行，直到從所述襯底去除所述摻雜的非晶碳膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述等離子體剝離工藝使用含氧氣體、含鹵素氣體和包含氫的還原氣體的混合物形成的等離子體。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述還原氣體與所述含鹵素氣體的比例在0.001至3的范圍內(nèi)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述摻雜的非晶碳膜是摻硼的非晶碳膜。

12.一種用于從具有帶有一個(gè)或多個(gè)高縱橫比結(jié)構(gòu)的圖案化區(qū)域的襯底中去除至少一部分掩模層的方法，所述方法包括：

將所述襯底放入等離子體處理設(shè)備中；

在所述等離子體處理設(shè)備中進(jìn)行聚合物沉積工藝，以在所述襯底的圖案化區(qū)域的至少一部分上沉積聚合物層；

在所述等離子體處理設(shè)備中執(zhí)行等離子體剝離工藝，以從所述襯底去除至少一部分聚合物層和至少一部分掩模層；

其中沉積所述聚合物層包括用所述聚合物層堵塞一個(gè)或多個(gè)高縱橫比結(jié)構(gòu)的頂端，使得所述聚合物層部分地延伸到所述高縱橫比結(jié)構(gòu)中，從而在所述等離子體剝離工藝期間減少與所述高縱橫比結(jié)構(gòu)有關(guān)的下層的暴露；

其中所述高縱橫比結(jié)構(gòu)包括由氧化物和氮化物的交替層形成的溝槽，并且其中所述聚合物層僅部分地延伸到所述高縱橫比結(jié)構(gòu)的所述溝槽中。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述聚合物沉積工藝在一個(gè)或多個(gè)高縱橫比結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成聚合物層。